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检索条件"主题词=硅基光发射器件"
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与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟(英文)
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《Journal of Semiconductors》2003年 第3期24卷 255-259页
作者：孙增辉 陈弘达 毛陆虹 崔增文 高鹏中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 天津大学电子与信息工程学院天津300072 
采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件...
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