摘要：物理所／北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组，与微加工实验室的顾长志研究组合作，设计并制备了一种新型n-ZnO／i—MgO／p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性，在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO／Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应，器件只对高于ZnO带隙（380nm）的紫外光响应，因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比，该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能，紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作，不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应，因而具有结构简单、性能优越等优点。

摘要：2012年11月25日,中国南京大学和美国加州理工学院研究人员在英国《自然—材料》杂志网络版上发表论文称他们设计出一种新型硅基光子芯片,初步实现了光的单向无反射传输,从而拓展了光子晶体及传统超构材料的研究领域,为在经典光系统中探索和发展具有量子特性的新型光子器件提供了新的研究思路。

摘要：在近日举办的第七届国际绿色建筑与建筑节能大会上，美国道康宁公司展示了其创新的建筑墙面保温隔热解决方案。据介绍，该方案使用的中空保温隔热板将比传统隔热材料的导热性低5到10倍。

摘要：11月9日，英诺赛科（珠海）科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。英诺赛科（珠海）科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术，突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战，将碎片率大幅降至l％以下领先水平。经过2年的努力，该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，主要产品包括100～650V氮化镓功率器件，设计及性能均达到国际最先进水平，将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。

摘要：设计了一种基于绝缘体上硅的具有大带宽调谐能力的紧凑型可重构光滤波器。该装置由三个微环辅助马赫-曾德尔干涉仪构成,利用硅的热光效应可以控制微环谐振器的相位,进而同时调节滤波器的带宽和中心波长。用时域有限差分法对器件的性能进行了仿真,仿真结果表明,带宽的调谐范围为1.4~10.6 nm,占自由光谱范围的11.5%~85%;阻带消光比大于20 dB,通带损耗为0.4~0.7 dB,器件尺寸为40μm×60μm。

摘要：基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.

摘要：大规模储能设备的快速发展对锂离子电池的能量密度提出了更高要求,负极材料作为锂离子电池的重要组成部分,对电池的性能提升起着关键作用。但目前商用电池负极以导电性能良好的石墨类材料为主,其普遍存在能量密度低、倍率性能差等缺点。而新一代硅碳负极尽管可以提升负极比容量,却仍存在多种问题,包括体积膨胀、倍率性能差、循环寿命短等。因此,开发新型负极材料以实现具有更高能量密度、更长循环寿命和更优异倍率特性的锂离子电池十分重要。高电压静电纺丝作为一种制备柔性纳米纤维的常用方法,用其制备柔性负极材料有望提高电池的能量密度并解决其他相关问题,具有极大的发展前景。因此,本文综述了静电纺丝在制备关键锂离子电池负极材料的设计策略和研究进展,包括碳基、钛基、硅基、锡基以及其他金属化合物,并对未来电纺负极材料的发展方向进行了展望。

摘要：针对5G无线通信毫米波频段的发展需求,设计了一款应用于K波段的交指型微机械滤波器。该滤波器采用抽头式输入、输出,通过上介质层的金属通孔将输入、输出信号引至最上层金属层,结合上、下介质层的空腔设计,有效地减小了滤波器的体积。双层封闭式结构,有效屏蔽了外部电磁环境对其内部结构的干扰。使用HFSS等软件对滤波器结构进行仿真与优化,最终达到指标要求:中心频率为25.875 GHz,带内插损小于2.5 dB,相对带宽为12.56%。滤波器的最终设计尺寸为5.098 mm×1.873 mm×0.827 mm,高端带外抑制好,实现了小型化设计。

摘要：阐述了中长波红外光波导器件的设计理念和用途。在介绍该领域的研究成果和最新进展的基础上,以应用在波长为10.6μm的硅基光波导器件为例介绍了实现低损耗波导的方法。

摘要：提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器。考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点。基于TSMC 0.13μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证。结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%。该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本。