摘要：本文介绍了开发完成并实用化的单层铝布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar.并从应用的角度,介绍 galstar系统的特点.

摘要：本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。

摘要：介绍了双端口2．5μm硅栅CMOS静态RAM（L68HC34）的研制过程、工艺设计和工艺控制；分析了控制VT及降低R多的各种方法；并阐述了对发展IC的重要意义。

摘要：进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。

摘要：本文分析他举电路的工作原理,给出该电路的n沟硅栅工艺设计方案,实验结果证明,该电路在驱动能力、工作速度等方面都是极好的。因此,可做为LSI和VLSI中的驱动电路。

摘要：LC5208动物发声——音乐电路采用导通电阻极低的 N 型耗尽管进行 ROM、译码器及多路开关的编码,不仅增强了版图保密性、成倍提高了集成度,而且只要改变N 型耗尽管沟道注入区这一层掩模,就可以实现模拟不同动物发声的效果。

摘要：本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以及所制得器件的电特性。利用具有译码逻辑电路的八个通道的3705型多重开关对硅栅工艺与一般工艺进行比较。给出了硅栅工艺的设计考虑和某些设计样品。

摘要：当考虑不同的MOS工艺时,要注意的两个最主要的特点是使用价值和成本。诚然,封装密度、功率、易设计性、可靠性、与TTL的匹配和速度也是重要的。没有一种工艺或几种工艺的组合能同时满足这些要求。因此,选用那种工艺视使用要求而定。