摘要：本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒（缺陷）的粒径分布，分析缺陷粒径分布的分形特征，利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数，建立缺陷粒径分布的分形模型，同时给出此模型所得参数的物理意义．最后，本文对缺陷粒径变化过程给出了新的动力学模型，并对此进行分析和讨论．揭示光刻缺陷的粒径分布及其动力学成因，为集成电路可制造性设计及功能成品率的精细表征开辟了一条新径．

摘要：设计了硅片加工、处理工艺中的硅片传输子系统,基于嵌入式实时操作系统Vxworks,实现了整个传输过程中全自动化、快速、轻柔、精确、无污染。

摘要：文章设计并研制了8英寸硅片真空传输平台,介绍了该传输平台的整体结构,并对关键模块前端传输腔室VCE中的CTA传输手托盘系统进行了选型设计、机构分析。垂直升降系统采用丝杠传动,CTA传输手采用平面四连杆机构增大刚度。对传输手主动杆强度和变形量进行了有限元仿真分析。经过重复运行精度实验测试,整个平台达到了硅片制造要求。

摘要：LiNbO3集成光学器件耦合的基础是设计并制作出高质量的硅片V型槽。文章介绍了硅片V型槽的设计和制作方法 ,采用该方法制作出的硅片V型槽质量好、成品率高 ,已成功地用于各种LiNbO3集成光学器件的耦合中。

摘要：基于弹性力学的接触理论 ,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态 ,提出了通过改变压头变形板的悬伸长度和厚度改变接触区域的压强分布的新技术 ,从而实现了均衡压力场研磨和抛光 ,利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除 ,并且在给定的实验条件下使平面度达 0 .2 5～ 0·33μm/76mm ,表面粗糙度Ra值分布不大于 5%。

摘要：本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１．６×１０１３／ｃｍ２和３．１×１０１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３×１０１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．

摘要：介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求。合理选用硅片单晶材料的电阻率 ,对器件工艺设计和制造起到了关键作用。

摘要：基于兆赫级压电振子驱动提出,一种新的流体喷射抛光方法,利用Z4120台式钻床搭建了流体喷射超声抛光实验装置,以2吋硅片为喷射抛光对象,通过实验验证了该抛光方法对硅片的精密化学机械抛光的实际效果。实验结果表明,在相同的实验工况下,硅片与喷射流的相对转速越高,抛光的效果越好。硅片转速相比抛光时间对硅片表面的粗糙度影响效果更明显。该抛光方法因无须借助抛光垫的接触作用,能使硅片在精密抛光过程中,避免抛光工具对硅片表面的损伤。

摘要：采用微磨料水射流对硅片进行抛光实验研究。根据后混合磨料水射流原理,通过设计实验,在选取合适磨粒直径和其他参数的条件下,采用微磨料水射流对硬脆性材料的表面进行抛光是完全可行的。并以正交试验设计为依据,分析在抛光硅片过程中,微磨料水射流主要加工工艺参数对表面粗糙度的影响。通过分析该实验结果的相关指标,可知抛光效果较好,因此用微磨料水射流对硅片的抛光是可行的。

摘要：本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布．在详细考察缺陷空间成团（Ｃｌｕｓｔｅｒ）效应的基础上，提出了一个新的描述缺陷空间分布的量——分数维，并建立了一个结构化的模型．用分数维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟，并验证了结果的正确性．本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础．