摘要：本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。

摘要：在广泛地比较了各种设计方案产业化的难易程度的基础上,最终确定了符合现有的工艺条件、易于产品化以及与其他产品生产相兼容的最佳方案,给出了MEMS的具体的工艺流程.

摘要：差压传感器广泛应用于武器装备和工业过程控制。为了树立用户对国产品牌的信心,开发性能优异、拥有自主知识产权的差压芯片是非常必要的。为了解决差压芯片温度特性差、静压偏差大的常见问题,本文提出了一种电容式差压芯体双面叠层静电封接工艺设计方法,并对双面叠层静电封接的工艺参数:温度、电压、时间、表面光洁度、压力等行了优化,使其适合大规模生产。

摘要：IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可低至12nA。

摘要：介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度,满足了工业现场的实际使用要求。