摘要：硅通孔技术(TSV)是三维集成电路设计关键技术之一,本文从其制备、应用于系统中的性能参数及其意义、具体设计主要思路三个方面,对TSV在三维集成电路设计中的基础概况进行分析探讨。

摘要：综述了基片集成波导(SIW)技术研究的现状和热点,首先分析了SIW的基本理论,包括SIW结构设计、损耗机制和频带宽度等;然后详细分析了基于SIW的微波和毫米波器件,包括无源器件、有源器件、天线和可调谐器件;接着对基于SIW技术的器件模拟和制作进行了详细论述;最后对SIW技术应用于太赫兹器件的设计进行了展望.

摘要：对于堆叠器件的3-D封装领域而言,硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案。将器件3D层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成度。为了在容许的成本范围内跟上摩尔定律的步伐,在主流器件设计和生产过程中采用三维互联技术将会成为必然。介绍了TSV技术的潜在优势,和制约该技术发展的一些不利因素及业界新的举措。根据TSV技术的市场前景,给出了当前设备行业发展硅通孔技术新的动向。

摘要：针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。