摘要：硅酸锆包裹炭黑(C@ZrSiO_(4))色料是一种无毒环保型黑色陶瓷色料。因其优异的高温稳定性、化学稳定性和抗釉熔体腐蚀性,在无机陶瓷色料领域受到了广泛关注,有望替代传统含重金属Ni、Cr、Co等尖晶石型黑色色料。但是炭黑表面官能团的含量较低,导致炭黑分散性差、易团聚,以及包裹率低不易与硅酸锆结合,离实际工业化应用还有一定距离。从硅酸锆包裹色料的包裹模型入手,详细阐述了包裹过程的影响因素。在此基础上详细介绍了目前提高C@ZrSiO_(4)色料包裹效率的有效途径,包括了炭黑的表面改性及尺寸调控、着色剂的引入形式、包裹策略设计,以及宏观上降低硅酸锆合成温度、引入烧结致密化助剂等手段以提高包裹效果。最后指出C@ZrSiO4黑色色料在未来需要重点解决的一些问题。

摘要：本文基于传统的硅酸锆生产的基础上,从生产效率、设备改进及维护、经济效益等方面作参考点,在保持清洁生产情况下,主要从磨介对产品的影响、浆液分离工艺、研磨设备与磨介、粉体之间热能分散问题等方面对研磨设备优化和改进,以获得硅酸锆研磨所需最佳工艺流程,用来制备超细硅酸锆产品。

摘要：以氧氯化锆和正硅酸乙酯为锆源和硅源,采用溶胶-凝胶法制备硅酸锆薄膜。借助SEM、DTA-TG、FT-IR、XRD等分析测试手段研究了添加双氧水(H_2O_2)对制备硅酸锆薄膜的影响,并研究了薄膜的抗腐蚀性能。结果表明:适量的双氧水可以有效地促进氧氯化锆的水解,进而克服薄膜高温失重造成孔洞和致密性差的问题;当H_2O_2/Zr的摩尔比小于2时,制备的薄膜不致密、不均匀;当H_2O_2/Zr的摩尔比大于2时,制备的样品有杂质相;最优的H_2O_2/Zr摩尔比为2,可制得均匀、致密的硅酸锆薄膜;所制备的薄膜具有较好的抗NaOH溶液腐蚀性能,单晶硅基片腐蚀前后质量损失为16.92%,而镀有硅酸锆薄膜的单晶硅基片腐蚀前后质量损失仅为0.56%。

摘要：为促进硅酸锆超细粉体加工技术进步，本文中介绍了硅酸锆在建筑卫生陶瓷行业的应用，以及硅酸锆乳浊杌理、硅酸锆超细粉体加工原料概况，并对硅酸锆超细粉体加工所使用的加工设备及加工工艺进行了比较，对提出了硅酸锆超细粉体加工技术的发展方向，认为硅酸锆超细粉体加工技术应朝着超细研磨、复合改性、干法分级方向发展。

摘要：以正硅酸乙酯和氧氯化锆为硅源和锆源,去离子水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在单晶硅表面制备了硅酸锆薄膜。利用pH计、zeta电位仪、SEM、XRD、AFM等测试手段研究了pH值、前驱体浓度对制备硅酸锆薄膜的影响,并研究了其抗四甲基氢氧化铵(TMAH)/异丙醇(IPA)腐蚀性能。结果表明:优化的pH值为0.5,对应溶胶的zeta电位最大,为43.8m V,所制备的薄膜质量最优;zeta电位随pH值的增加而减小,溶胶的稳定性和薄膜的质量也变差。当前驱体浓度小于0.6mol/L时,薄膜表面粗糙;当前驱体浓度大于0.6 mol/L时,薄膜表面出现了裂纹,且样品出现杂相。最优前驱体浓度为0.6mol/L,制得的硅酸锆薄膜可有效保护单晶硅片免受TMAH/IPA的腐蚀。

摘要：在微乳液-水热法制备硅酸锆粉体的过程中,草酸对硅酸锆粉体性能的影响。并借助XRD、SEM和TEM等测试手段对实验样品进行物相及显微形貌分析。实验结果表明:草酸的羧基能与Zr4+反应形成络合离子化合物,增大空间位阻,促进晶核大量产生从而减小粉体粒径,当草酸加入量为理论合成硅酸锆质量的9.8%时,所得硅酸锆粉体的平均粒径(D50)仅为0.620μm。

摘要：采用酸催化溶胶-凝胶法于n型单晶硅基片表面制备出硅酸锆薄膜。运用XRD、SEM等分析测试手段对比了酸催化、回流和陈化三种不同凝胶化工艺对薄膜的相组成和显微形貌的影响。通过粘度-时间曲线观察了溶胶的稳定性并通过FT-IR研究了溶胶水解缩聚的过程。实验结果表明:相比酸催化和回流工艺,采用HNO_3调节pH值至1时,可以有效缓解正硅酸乙酯的快速水解缩聚,制备出均匀稳定的硅酸锆溶胶,经提拉镀膜、900℃煅烧0.5 h得到致密光滑的硅酸锆薄膜,能够有效防止NaOH强碱溶液对单晶硅片基底的腐蚀。

摘要：采用非水解溶胶-凝胶法制备了硅酸锆薄膜,通过添加表面活性剂四丁基溴化铵(TBAB)提高了膜基结合力,获得了致密的硅酸锆薄膜。通过X射线衍射(XRD)分析了样品的晶体结构,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对样品的形貌进行了表征。实验结果表明,603℃时硅酸锆相开始生成,850℃保温0.5 h可以获得纯相的致密硅酸锆薄膜。此外,添加TBAB不会影响非水解溶胶-凝胶过程中的异质聚合反应,同时还能将镀膜次数由2次增加至3次。使用该法制备的薄膜表面光滑致密,能够抵抗强碱液对硅基底的腐蚀。

摘要：采用稻壳为碳源,无水四氯化锆(ZrCl_4)为锆源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,氟化锂(LiF)为矿化剂,聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为分散剂,通过非水解溶胶-凝胶法制备了硅酸锆包裹炭黑(C@ZrSiO_4)黑色色料。通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对稻壳及色料的组成结构和显微形貌进行了表征,同时采用CIE-L*a*b*色度仪考察了C@ZrSiO_4色料的色度。实验结果表明,以200℃干燥的稻壳为碳源有利于纯相ZrSiO_4的合成。当干燥稻壳含碳量为硅酸锆质量的3.75wt.%时制得的C@ZrSiO_4色料发色效果最佳,色度值为L*=47.25,a*=0.59,b*=1.81。稻壳添加量过少时,原位碳化的炭黑含量不足影响呈色;稻壳添加量过多则不利于致密包裹结构的形成,最终导致L*值增大。

摘要：以四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源,DBE为溶剂,采用非水解溶胶-凝胶法在单晶硅基片表面制备硅酸锆薄膜。运用TG-DTA、XRD、FE-SEM和SEM等研究了凝胶热处理过程中的相转变和薄膜的抗NaOH溶液腐蚀性能。结果表明：凝胶在650℃形成t-ZrO_2相,t-ZrO_2相和无定形氧化硅于800℃反应合成硅酸锆,经900℃热处理可以在单晶硅基片上制备均匀、致密、无缺陷的硅酸锆薄膜。所制的硅酸锆薄膜可以有效地保护单晶硅基片免受NaOH溶液腐蚀,具备良好的抗腐蚀性能。