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基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器: 收藏
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引用; 《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第6期13卷 849-852页; 作者：崔博华李一虎熊永忠中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室四川成都611731; 基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的...; 基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。; 来源：详细信息评论

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