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电化学腐蚀mcp中载流子传输特性作用与影响分析
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《光电技术应用》2012年 第2期27卷 38-42,46页
作者：任天宇 薛阳 端木庆铎 石晓光 王培翎 张影 李璐璐长春理工大学吉林长春130012 
结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀mcp以n-型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的...
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