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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
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《科技导报》2021年 第14期39卷 42-55页
作者:蔡蔚 孙东阳 周铭浩 郭庆波 高晗璎哈尔滨理工大学电气与电子工程学院哈尔滨150080 
近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体...
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