摘要：碳化硅SiC(silicon carbide)器件具备耐高压、低损耗和高热导率等优势,对电动汽车行业发展具有重要意义。提出一种利用大芯片封装的SiC MOSFET功率模块设计,并开展实验分析模块的电气性能;搭建仿真对仅有电特性与电特性和温度负反馈结合这2种情况下模块温度进行对比研究。仿真结果表明,在相同工作条件下,采用大芯片封装设计的SiC MOSFET功率模块导通电流能力更强,温度变化更小,电气性能有所提升。

摘要：为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度SiC功率模块的需求,进行了1200 V/500 A高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片.利用互感对消效应减小寄生电感,导电面积增加了1倍,以减小功率模块的总面积.在电磁学与热力学仿真分析的基础上,进行了实物制作与性能测试.仿真与实验结果表明:与传统的封装方法相比,该封装方法减少了34.9%的尺寸,并减少了74.8%的寄生电感,使得门极具有更高的稳定性,且当直流300 A电流时,单相最高结温为158℃.

摘要：综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短Si IGBT的拖尾电流时间,降低开关损耗,并可实现高频运行。该类混合开关器件还利用了Si IGBT的导通特性优势,与同规格纯SiC器件相比成本大幅降低。部分文献的仿真与实验结果验证了该类器件的优异特性,所开发的示范性样机具有较高使用价值,一定程度上可满足同时需求高频开关和中、大功率的应用。