摘要：在离子源的设计中 ,为了减少等离子体的器壁复合损失 ,经常采用磁场对等离子体进行约束 ;但磁场分布的复杂性 ,给实际测量带来了困难 .介绍采用磁荷法对低能辐照离子源中磁场分布进行计算 ,给出了计算结果 ,并讨论了误差可能产生的原因及其影响 .计算结果对于离子源设计中的阴极热电子发射、离子束有效引出面积确定及等离子体的有效约束等重要问题有一定参考价值 .

摘要：为推进带螺旋绕组的活塞式磁通压缩发电机(P-MFCG-HW)技术的发展,设计了新的锥形电枢体复合结构并完成P-MFCG-HW的原理验证试验。通过P-MFCG-HW磁场模型分析了电路模型的实质,即运动电枢填充绕组而减少电感,其表现形式则为放大电流的磁能,而在P-MFCG-HW理论的深层次分析中,指出了电枢概念是不可缺少的。锥形电枢MFCG-HW工作过程细微分析所确定的合理电枢感应面电流分布和绕组内磁场位形及与爆炸式MFCG类比,得出了有关活塞式MFCG-HW电枢形状的关键技术,即:无论是薄皮还是块状,锥形电枢是合理和必要的;电枢表面要连续和光滑,特别是柱状电枢端部的环形尖棱可导致系统效率降低;要绝对避免电枢表面轴向缝隙会阻碍感应电流而导致试验失败;电枢形状优化设计的原则是使电枢感应面电流均匀分布;磁场扩散的趋肤效应和MFCG原理要求螺旋绕组直径和厚度足够大;电刷和中心导杆在特定情况下可抛弃。

摘要：在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低。实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3Pa和3×10-2Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15 T时,前者的刻蚀效果更强。

摘要：通过对原 ASDEX极向场线圈系统进行改造 ,优化设计出 HL- 2 A极向场线圈系统 ,模拟计算了磁场位形演化并估算了伏秒消耗。改造后的极向场线圈系统能够形成 80 0 k A的等离子体电流 ,并能产生拉长截面的等离子体偏滤器位形。分析了改造后的极向场线圈系统的电磁特性 ,计算了单零、双零及 D形限制器三种等离子体平衡位形。