摘要：为获得高品质抗电磁辐射木材,采用正交试验设计L_(27)(3^(13)),真空磁控溅射镀膜,试验分析了封闭剂、真空度、镀膜温度、镀膜时间及交互作用等因素对镀膜质量的影响。结果表明:桐木单板应用MF3封闭剂(固体质量分数为50%的三聚氰胺甲醛树脂及内含溶液质量分数1%KH-560硅烷偶联剂,添加5%(按质量计)的异佛尔酮二异氰酸酯组成)、真空室的真空度10^(-2)~10^(-4)MPa、靶材温度200℃、溅射时间100 s条件下,工艺效果最为理想。经电磁屏蔽效能检测,镀膜厚度达到30μm以上时,在30 MHz^1.5 GHZ频段之间,电磁屏蔽效能达到30~60 d B中等屏蔽效能等级,镀膜单板屏蔽效能随着电磁波频率的提高呈缓慢下降之势。镀膜木材在高温、高湿条件下老化强度有微弱下降,但对镀膜与薄木的结合无影响。镀膜后的薄木可用于高端电磁屏蔽、导静电装饰性木材产品的开发。

摘要：通过磁控溅射法在单晶Si(100)基片上生长了不同厚度的BiFeO_3多晶薄膜,对样品的结构、形貌、磁性进行研究。结果表明,通过改变溅射时间,影响薄膜微观结构。样品薄膜具有平整的表面。室温下,样品呈现反铁磁有序。

摘要：爆炸箔起爆器因其高可靠性、高安全性而在各类战术武器中备受青睐,但其起爆需要较高的输入能量和电压,需配备专门的起爆线路,导致成本高、体积大,在常规武器中应用受限。为顺应爆炸箔起爆器低能化、小型化的发展趋势,获得充电电压在1.5 kV以下的爆炸箔起爆器,设计和制备一种采用TiW/Ni/Au复合薄膜的爆炸箔,并对其电爆性能和驱动能力进行了深入研究。研究结果表明:桥区尺寸为0.15 mm×0.15 mm的TiW/Ni/Au爆炸箔性能最佳,可在0.1μF储能电容、800 V充电电压下可靠发生电爆炸,使25μm厚的聚酰亚胺飞片,在直径350μm的加速膛剪切作用下,在0.4μs内加速到3 920 m/s;与Cu箔相比,800 V充电电压下,相同桥区尺寸的TiW/Ni/Au爆炸箔电爆炸能量利用效率从3.11%提高到了12.76%。

摘要：用热蒸发和磁控溅射的物理镀膜方法和溶胶凝胶化学涂布的方法相结合制备了有机和无机复合纳米光学变色薄膜。光学变色薄膜为多层薄膜 ,当有自然光进入光学变色薄膜时 ,随着入射光和视角的变化在薄膜上可以看到明显的光变色效果。这种薄膜可以单独或与油墨组合作为一种新颖的防伪材料。根据多层复合膜光干涉原理经设计和计算确定薄膜为PET/Cr/介质 /Al膜系结构。介质分别是有机高聚物和SiO2 。SiO2 是多孔纳米材料 ,用溶胶凝胶方法制备 ,通过调节催化和凝胶的方式和条件 ,折射率在 1.15～ 1.4 5之间。

摘要：为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论，结合 VO2薄膜用于激光防护的需求，计算得到适用于激光防护的最佳膜厚。为验证计算方法准确性，根据入射激光波长10．6μm 为例计算的最佳膜厚，采用直流磁控溅射法在 Si 基底上制备具有相应膜厚的薄膜，利用傅里叶变换红外光谱测试分析了该薄膜的红外透射率相变特性，结果表明其红外透射率具有明显相变特性，3～5μm 波段的红外透射率对比值达到99％，λ＝10．6μm 处相变前后的红外透射率分别为67．2％、4．2％，与理论计算透射率66．4％、3．3％误差较小，实测透射率对比值为93．8％，与理论预期95％基本相符，表明理论计算方法具有一定的准确性，根据最佳膜厚算法设计的 VO2薄膜适合应用于红外探测器的激光防护研究。

摘要：采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe_3Si/MgO/Si多层膜结构。利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe_3Si薄膜结构和电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe_3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析。研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe_(0.9)Si_(0.1)薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe_3Si薄膜,生成的Fe_3Si和Fe_(0.9)Si_(0.1)薄膜以(110)和(211)取向为主。随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe_3Si薄膜的影响减小,Fe_3Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势。研究结果为后续基于Fe_3Si薄膜的器件设计与制备提供了参考。

摘要：O484．1 2005032053 甩迭代Chebyshev方法设计密集型波分复用窄带滤光片= Design of DWDM narrow band filters with iterative Cheby- shev method[刊,中]／王懿喆(中科院上海技物所．上海 (200083)),张凤出∥红外与毫米波学报．-2004,23 (4),-303-307 提出了一种简单而有效的设计方法,即迭代Cheby- shev方法。通过对Chebyshev带通滤光片设计过程的研 究,指出由于多层λ0／4反射堆与原型滤光片的相位特性 差异,造成最终带宽显著变窄。

摘要：文中介绍采用可编程序控制器改进单机单片磁控溅射真空镀膜机的设计和运行情况。本系统可以连续工作，每次可镀三十片玻璃，并可镀复合膜多达三层，比以前单机单片镀膜工艺显著提高了工作效率，降低了成本，改善了产品质量。