摘要：基于加载集总元件的磁谐振器设计了一种宽频带、极化不敏感和宽入射角的超材料吸波体.该吸波体的结构单元由加载集总元件的磁谐振器、介质基板和金属背板组成.仿真得到的加载集总元件和不加载集总元件情况下一维阵列结构吸波体的吸收率表明,相对于不加载集总元件的情况,加载集总元件的一维阵列结构吸波体能够实现宽频带吸波.仿真得到的集总电阻和集总电容取不同值时一维阵列结构吸波体的吸收率表明,集总电阻和集总电容都存在一个最佳值,此时吸波体的吸收率最高、吸收带宽最宽.仿真得到的基板有耗和无耗情况下一维阵列结构吸波体的吸收率表明,吸波体内的能量损耗主要源于磁谐振器中加载的集总电阻,与基板的介质损耗关系不大.仿真得到的二维阵列结构吸波体在不同极化角和不同入射角下的吸收率表明,该吸波体具有极化不敏感和宽入射角特性.

摘要：磁谐振器与电谐振器组合能够实现同时具有负介电常数和负磁导率的左手材料,左手材料磁谐振器的设计对于设计新型左手材料具有重要的意义。针对左手材料磁谐振器设计问题,提出了磁谐振器设计原理,为消除磁谐振器的双各向异性,所设计的结构关于电场方向等效为镜像对称的单回路。根据此原理,设计了耦合增强型"巨"字形磁谐振器结构,并通过实验仿真验证了结构的等效负磁导率。结果表明,所设计的结构在8.9GHz-10GHz之间具有负的等效磁导率,并且结构的双各项异性得到了有效的消除,说明了所提出设计原理的正确性。相对于传统的开口谐振环磁谐振器,"巨"字形磁谐振器结构简单,易于进行加工制作和理论分析。

摘要：利用将磁谐振器与共面短金属导线相结合的思想,设计了一种基于单面金属结构的二维左手材料.理论分析与仿真结果均表明该结构在某一频段同时具有负等效磁导率和负等效介电常数,并且相对左手带宽达到36%.此外,该结构具有良好的容错能力,短金属导线宽度的变化对整体结构的谐振频率及通带宽度影响很小,这不仅有利于实际加工而且对于设计红外及太赫兹频率范围下的左手材料具有参考价值.

摘要：用电谐振器和磁谐振器组合来实现同时具有负磁导率和负介电常数的左手材料是比较普遍的方法,左手材料中磁谐振器的设计最为重要,为抑制磁谐振器中的电响应,提出了单回路镜像对称原理,从而设计了一种小单元宽频带的回型磁谐振结构,再将磁谐振器与电谐振器组合,形成了小单元宽频带左手材料,通过仿真验证了磁谐振结构的等效负磁导率、工型电谐振结构的等效负介电常数和左手材料的左手特性。利用NRW方法提取出该回型结构的有效磁导率和有效介电常数。结果表明:此结构在6.5GHz-11.7GHz间具有左手特性,和传统的史密斯结构相比,本文所设计的左手材料结构简单,易于分析和加工制作,低损耗,低成本。

摘要：为了更简便的制备宽带内的左手材料,提出一种新型的X波段方形开口磁谐振器(SSRs),通过将该磁谐振器与H型电谐振器的耦合,设计了一种电路板单面印刷的宽带左手材料(Left Hand Materials,LHMs).经过HFSS(High Frequency Structure Simulator)仿真,利用散射参量法计算分析了SSRs、H型谐振器的传输特性和负电磁参数特性、电磁谐振器耦合结构的负介电常数、负磁导率和负折射率.仿真证实:该结构在10.05～11.6GHz频带内具有负折射特性,较同频段其他LHMs带宽更宽.同时耦合结构可以单面印刷,尺寸较大,在一定程度上避免了传统LHMs对印刷电路板刻蚀工艺加工精度的较高要求,便于实际制备.