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用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作及端头磁针尖设计: 收藏
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引用; 《传感技术学报》2010年第10期23卷 1399-1402页; 作者：刘勇赵钢陈宇航孔雯褚家如中国科学技术大学精密机械与精密仪器系合肥230027; 提出一种用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作方法。采用顶层Si厚度为1μm的SOI硅片,在器件层刻蚀出悬臂梁图形后,利用热氧化将Si梁减薄至0.5μm,同时生成SiO2保护层。在KOH溶液进行体硅刻蚀过程中,以黑蜡和SiO2保护层作为正面保护,之后...; 提出一种用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作方法。采用顶层Si厚度为1μm的SOI硅片,在器件层刻蚀出悬臂梁图形后,利用热氧化将Si梁减薄至0.5μm,同时生成SiO2保护层。在KOH溶液进行体硅刻蚀过程中,以黑蜡和SiO2保护层作为正面保护,之后用溶液置换方法完成埋氧层去除及悬臂梁清洗过程。悬臂梁尺寸为465μm×10μm×0.5μm,室温真空中Q值为23000,在低温环境中可以满足单电子自旋探测要求。分析比较了球体、圆锥体、圆柱体三种磁针尖磁场梯度分布,为磁针尖结构设计提供了依据。; 来源：详细信息评论

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