摘要：叙述了发射光谱法的终点监测原理，锁相放大技术在ＰＩＥ和ＲＩＥ工艺过程监测中的应用，并详尽地讨论了开关电容滤波器的原理，而且在电路设计中采用了跟踪开关电容滤波器的锁相放大器设计，从而提高了系统的动态范围，最后说明了该系统用于实际生产线所获得监测结果。

摘要：砷化镓单片微波集成电路(GaAsMMIC)是近期发展起来的一种新型微波集成电路。它体积小,重量轻,可靠性高,可广泛用于通信、雷达及机载、弹载等其它微波系统中。MMIC的应用除对电性能有要求外,对可靠性也要有要求,可靠性设计除芯片设计和制作工艺中考虑外,为满足恶劣环境下工作的要求,要将芯片封装在密封的管壳内。

摘要：研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器,并对磁芯采用充磁处理,实现了滤波器的全密封结构。该滤波器的工作频率为70 MHz,3dB带宽为151.4kHz,带内波动小于0.5dB,通带内（69.95--70.05 MHz）的群延时波动小于3μs,矩形系数小于2.8。

摘要：从全息衍射光栅的制作原理出发 ,介绍了全息光栅的主要制作方法 ,并与刻划光栅对比分析了全息衍射光栅的诸多优点。通过利用光栅设计的耦合波理论对全息衍射光栅槽型、槽深及槽间距等进行了优化设计 ,同时利用离子束刻蚀技术获得了高效率全息光栅。

摘要：采用离子刻蚀工艺对钽酸锂晶体材料进行刻蚀加工,得到了反台面结构晶片,其厚度约为31.3μm,可用于制作高基频晶体谐振器。应用该晶体谐振器,在电路上采用差接桥型电路,设计了一种高频宽带晶体滤波器,其中心频率为63 MHz,3 dB带宽为780 kHz,阻带衰耗大于75 dB,工作温度为-55^+95℃。结果表明,采用离子刻蚀工艺能极大地提高晶体滤波器的工作频率上限。

摘要：给出了一种新型的微梁直拉直压的微机械压阻式加速度传感器的工作原理。该设计能同时提高传感器的灵敏度和自由振动频率。基于分析模型 ,本文还给出了传感器的结构优化和各种量程的设计规则。采用SOI硅片和深反应离子刻蚀 (DRIE)

摘要：未来的超大规模集成电路制造环境是作为多元层次来探讨的,其中包括:工艺过程和制造工艺,工厂经营管理,供应链,以及外部经济对供应链各环节的强制作用。影响制造环境的三个主要因素是不断变化的工艺,改善资产利用的压力,以及各国的国策对供应链各环节安排的影响。

摘要：Y2002-63234-67 0224675光刻缺陷综合监测方式=Comprehensive cost-effectivephoto defect monitoring strategy[会,英]/Peterson,I.& Stoller,M.//2001 IEEE International Symposium onSemiconductor Manufacturing.—67～70(E)Y2002-63234-75 0224676神经动态编程优化腐蚀时间控制设计=Optimal etchtime control design using neuro-dynamic programming[会,英]/Yang,L.& Si,J.//2001 IEEE InternationalSymposium on Semiconductor Manufacturing.

摘要：本文详细介绍了大型金属卷材表面改性连续卷绕镀膜生产线的工作原理、结构组成、技术特点和主要创新设计要点。分析并指出影响大卷径宽幅金属卷材镀膜质量、生产效益的主要因素和解决途径。重点论述了提高镀膜速度和膜层附着力的科学依据,解决了当前金属卷材连续卷绕镀膜生产线中出现的镀膜效率低,均匀性差,光谱L、a、b值光学性能不稳定等难题。自主研发的AEG电弧离子刻蚀辅助系统和柱状阴极电弧离子蒸发技术与中频磁控溅射镀膜技术综合应用,使镀膜沉积速率提高1.3~2倍,整卷镀膜L值色差波动不大于±1.0,a值色差波动不大于±1.5,b值色差波动不大于±1.8。