摘要：用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证结果表明在沟槽宽度为4~10μm的范围内计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.

摘要：针对单晶硅柱面镜加工过程中面临的加工效率低、加工精度差以及表面质量难控等问题,提出采用离子束倾斜入射的方法来进行单晶硅柱面镜的加工工艺优化。通过建立离子束倾斜入射的去除函数理论模型,揭示去除效率同入射角度的关联规律;通过分析离子束倾斜入射的微观形貌作用机理,揭示表面质量同入射角度的关联规律;综合优化去除效率和表面质量,获得倾斜入射的最佳入射角度,并建立基于离子束倾斜入射的新工艺路线。在一块尺寸为100 mm×100 mm的单晶硅凸柱面镜上采用新工艺路线进行加工实验,结果表明:在保证加工精度和表面质量的情况下,加工时间节约53.7%,验证了离子束倾斜入射加工的先进性。

摘要：离子束的贯穿能力强，能使绝大部分能量透过靶球外壳，进入到驱动层并沉积在驱动层中，从而产生强大的压力。讨论了离子束直接驱动压力型ＩＣＦ靶球内爆的可能性。结合压力型内爆靶驱动效率的近似分析公式，讨论了靶球的设计原则，给出了一个典型的靶球结构以及相应的数值模拟结果。

摘要：30 keV的Ar+离子束在1.5×1017 ions/cm2的注入剂量下介导外源甘蓝全DNA导入模式植物拟南芥菜,在94株转化当代植株中,有6株表型产生变异。以其中的一株(T-5)作为研究对象,用80条10碱基随机引物对该株和其子代变异株基因组作随机扩增的多态性DNA分析,引物S176 在T-5和其变异子代T-5-2中扩增出了相同分子量的变异新条带T-5S176-620。T-5S176-620的碱基序列和拟南芥菜基因组序列进行同源比对,结果表明该片段不属于拟南芥菜基因组,Southern杂交实验证明该片段来自供体甘蓝基因组。但是,根据T-5S176-620序列设计的引物不能从甘蓝基因组中扩增出预期长度的DNA片段,结合离子束介导外源全DNA转化的特点和过程,探讨了其中可能的机制。

摘要：[目的]利用分式析因法探索低能离子束介导各参数的生物学效应。[方法]以同源四倍体双胚苗水稻DER10-04-01为受体材料,以披碱草为DNA供体材料完成离子束介导试验,利用分式析因设计法对低能N+离子束介导外源基因转化水稻的参数进行初步研究。[结果]低能N+离子注入时所采用的能量、剂量、DNA浓渡和DNA浸泡时间等4个因素对DER10-04-01的正常生长发育产生明显的生物学效应,其中注入剂量与DNA浓度对其产生的生物学效应更明显。[结论]能量、剂量、DNA浓渡和DNA浸泡时间是离子束介导转化外源遗传物质中对试验效果具有重要影响的主要因素。

摘要：一、前言在电子、冶金、材料、超导等科技和生产领域,离子束设备的应用越来越广。国外,离子束设备的研究和生产已经成为一个独立的部门。从六十年代末开始至今,我国的离子束设备的研究和生产得到了很大发展,已经研究和生产了多种型号的离子束设备,为我国的科技进步和生产发展作出了一定贡献。

摘要：介绍了高效节能离子束处理表面换热器的设计原理、结构、性能及应用实例等，并对各种汽－水换热器性能进行了对比。

摘要：LSK—3型离子束刻蚀机是用于刻蚀动压气体轴承螺旋槽为主的超精细加工专用设备。自1985年研制成功后,该机经过上百次长期使用运转,成功地刻蚀了台阶轴套.半球轴套、上推板螺旋轮等器件,每次开机连续工作10h,连续刻蚀时间8h 以上。实践证明:该机工作可靠、稳定、技术成熟。是一台国内领先的离子束刻蚀设备。对该机的设计原理、真空系统计算、结构特点、发展前景作以介绍。

摘要：[目的]利用分式析因法探索低能离子束介导各参数的生物学效应。[方法]以同源四倍体双胚苗水稻DER10-04-01为受体材料,以披碱草为DNA供体材料完成离子束介导试验,利用分式析因设计法对低能N+离子束介导外源基因转化水稻的参数进行初步研究。[结果]低能N+离子注入时所采用的能量、剂量、DNA浓渡和DNA浸泡时间等4个因素对DER10-04-01的正常生长发育产生明显的生物学效应,其中注入剂量与DNA浓度对其产生的生物学效应更明显。[结论]能量、剂量、DNA浓渡和DNA浸泡时间是离子束介导转化外源遗传物质中对试验效果具有重要影响的主要因素。

摘要：本文探讨了直线边界均匀磁场中离子束的一级聚焦位置及象宽和象长的计算。所述方法可用于多接收器质谱计的设计。