T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:文章介绍用离子束方法分析贮氢金属中氢同位素含量与分布的实验条件与设计,并分析各自的优、缺点。通过实验测量与分析表明,用离子束分析方法可获得氢同位素含量与分布的丰富信息和精确数值。用6.0MeV的O离子束进行ERD分析的优点是截面为卢瑟福截面,所用的Mylar膜薄,能使H、D、T明显分开,测量精确,缺点则是对样品制备要求高,分析深度小;用7.4MeV的。He离子束进行ERD分析能得到H、D、T的分布信息,对Ti的分析深度可达到3.0Fm,缺点则是三者的谱图相互重叠,模拟解谱的误差较大;用3.0MeV的质子进行PBS分析,只能获得D、T的分布信息,但分析深度更深。
摘要:北京大学4.5 MV静电加速器是20世纪80年代我国自主研发的静电加速器。该器端电压在0.7~3.8 MV连续可调,主要加速氢/氦同位素离子,并可通过打靶产生准单能直流/脉冲中子场,具有多条束线及多个实验终端。该器作为开放仪器多年来为国内外从事核技术研究的团队提供了实验平台。近年来,针对我国在能源、航天和国防等领域材料研究的重要需求,该器进行了多次升级改造。一方面通过产生7 MeV以下和14~19 MeV的准单能中子场,应用于(n, a)核反应截面的测量和聚变堆中子谱仪刻度;另一方面,通过温控辐照、核反应分析等实验终端,实现了材料辐照损伤及聚变堆材料元素定量分析等研究方向的功能拓展。此外,设计新增用于半导体材料电学性能测试的原位在线辐照终端和用于研究材料微观尺度元素分布的离子束综合分析实验终端。目前部分新终端已设计组装完成,相关搭建和调试工作正在进行中。
摘要:核技术可以分析有关犯罪的法证样本——从贩毒、谋杀到艺术品赝品。最为常见的技术方法有:X射线技术、中子活化分析、离子束分析和放射性碳测年,这些技术可以补充法证调查中更为传统的技术方法。核技术通过分析材料的化学和物理特性,并辅以其他法医证据(如:DNA或指纹),可以将犯罪现场采集的证据样本与犯罪人关联。核技术如何帮助调查?核技术可以帮助专家分析犯罪证据样本的微观痕迹,例如,颜料或头发中的元素。
摘要:聚焦离子束分析系统V600FIB设计上力求灵活、简便以满足高产能的需求。针对65纳米乃至更先进技术节点的应用,设备提供了先进的电路矫正功能。依靠快速资料撷取功能,设备能够帮助半导体公司缩短了芯片的调试周期并最终完成芯片设计,进而迅速实现量产。V600FIB采用FEI独有的Sidewinder 30kV离子束,通用的气体输送系统,以及一个可倾斜的5轴载物台用于定点截面的实效分析。设备将取代本公司的FIB200系列产品。
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