摘要：为了研究离子推力器输入参数对工作性能的影响,采用试验研究和理论分析的方法研究了离子推力器加速电压和阳极流率对离子推力器性能的影响.研究结果表明:一定范围内离子束流随着加速电压绝对值的减小不断减小,然后突然增大,大、小推力模式下的电子返流极限电压分别为–140 V和–115 V,放电电压、放电损耗随阳极流率减小单调增大,减速电流单调减小,通过调节阳极电流、栅间电压、工质气体流量,功率为300—4850 W下,推力为11—188 m N,比冲为1800—3567 s,效率为34%—67%,在3000 W时推力器最高效率达到67%,该转折点对推力器设计和应用有关键意义,应用要结合在轨任务剖面选择合理的工作参数区间.

摘要：设计了一种以TMS320LF2407ADSP器件为控制核心,以模糊神经网络控制为主要算法的智能冷阴极潘宁气体离子源束流控制系统。通过系统中嵌入的神经网络可实现对模糊控制的自适应调节,从而稳定离子源的引出束流,提高离子源的使用性能。

摘要：诊断电子回旋共振离子源等离子体的传统方法是采用传统的单探针无发射时测量伏安曲线,并根据曲线的拐点由理论公式计算出的等离子体密度。本文设计并研制了等离子体密度的测量装置。采用单根朗缪尔探针(该探针可以用来发射电子)测量等离子体的伏安特性。在探针有发射和无发射两种状态下测量得到两条伏安曲线,根据这两条曲线的"分叉点"得到等离子体电位,然后根据该电位直接由计算机计算出电子温度、电子密度。采用该新方法,测量得到的等离子体参量空间电位约为17 V,悬浮电位约为-5 V,电子温度约为4.4 eV,离子密度为1.10×1011cm-3,与传统方法计算出的等离子体1.12×1011cm-3相比,两者相差仅1.8%,但新方法效率和精度更高。

摘要：对从丹麦进口的９１１Ａ型中空阴极离子源进行了重新设计，经多次出束调试及改进，离子源部件已基本国产化。气体束可达到１０－５Ａ；固体束最大可达到１０－６Ａ，一次填料可持续稳定地工作５ｈ左右。

摘要：聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。

摘要：为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究了射频放电中离子束流、射频功率、工质流量、栅间电压之间的规律.结果表明:射频离子源试验系统设计合理,能够可靠稳定地工作,真空度低于1.0×10^-3 Pa的氩工质条件下离子束能量大范围独立可调,在100~1500 eV范围引出80~460 mA的离子束流,当工质流量一定时,离子源离子束流随射频功率的增大以1 mA/W比率增加,射频功率一定时,离子源束流强度随工质流量增大,在20 sccm时,离子源束流强度至稳定值或者略微增加,合理控制离子源工作参数可以提高离子源工作性能和效率.