摘要：通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.

摘要：本文通过在发光二极管(light emitting diode,LED)的p掺杂区域引入六方氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN)结构,以提升深紫外(deep ultraviolet,DUV)LED的空穴浓度。通过COMSOL有限元软件对LED器件量子阱区域建模,结果表明:1)掺入h-BN后,p区域空穴浓度提升了约一个数量级,发射率和内量子效率(inernal quantum efficiency,IQE)得到了显著提升;2)随着h-BN厚度的增加,p区空穴浓度显著提升;3)h-BN相对于AlGaN材料带隙上移的特性,有效地阻挡了电子泄露,使量子阱区域电子和空穴复合进一步增强,有效改善了DUV LED的发光效率。本文提出的设计结构为实验制备高量子效率的DUV LED器件提供了解决方案。

摘要：基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。