摘要：空间环境中辐射粒子的电离总剂量效应对卫星电子器件危害严重,需要采用合适的材料进行屏蔽防护.本文采用蒙特卡罗方法模拟材料对电子的屏蔽,将双层复合屏蔽方法与单质屏蔽方法进行对比,结果表明对电子而言,复合屏蔽在屏蔽厚度足够大时比单质屏蔽效果更好.利用^(90)Sr-^(90)Y电子放射源进行了复合屏蔽效果的验证试验,试验结果与模拟结果规律相符,研究结果可为辐射防护的优化设计提供参考.

摘要：运用MULASSIS计算程序模拟计算了金属屏蔽材料对空间辐射环境的屏蔽效果,通过对比不同组成的屏蔽材料的屏蔽效果,得出了组成与屏蔽效果之间的规律。计算结果表明:金属Al和Ta以一定方式复合得到的多层金属材料的屏蔽效果优于相同面密度的金属Al和Ta;在相同面密度下,以Al在前Ta在后的方式复合得到的多层金属材料具有较好的屏蔽效果;在相同面密度下,由金属Al和Ta组成的多层金属材料的屏蔽效果还与组成有关。计算结果可以为屏蔽材料的组分设计提供指导。

摘要：本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。

摘要：设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数.

摘要：比较讨论了航天器数据存储器中汉明码和TMR两种典型纠错系统的原理、实现以及数据可靠性的估计,在此基础上提出了一种集成这两种系统模式并可在实际应用中根据需要切换模式的纠错系统设计方案,探讨了该系统的特点和优势,介绍了利用FPGA实现该系统的过程和经验。

摘要：单粒子辐射效应严重制约FPGA的空间应用,为提高FPGA在辐射环境中的可靠性,深入研究抗辐射加固FPGA单粒子效应评估方法,设计优化单粒子效应评估方案,开发相应的评估系统,提出基于SRAM时序修正的码流存储比较技术和基于SelectMAP端口配置回读技术。借助国内高能量大注量率的辐照试验环境,完成FPGA单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)和单粒子功能中断(SEFI)等单粒子效应的检测,试验结果表明,该方法可以科学有效地对SRAM型FPGA抗单粒子辐射性能进行评估。

摘要：地球同步轨道(GEO)卫星在轨期间将遭遇空间带电粒子辐射,导致的电离总剂量效应会损伤星上的电子元器件。在对GEO卫星典型结构进行屏蔽设计时,采用钽箔等材料对卫星结构大开口处进行封堵,又用屏蔽厚度的实体相交法求解卫星的屏蔽性能。建立卫星的三维屏蔽厚度模型,对比屏蔽设计前后的总剂量值,同时分析该封堵方法对卫星机热系统的影响。通过对GEO卫星结构三维屏蔽性能的分析,验证了该封堵方法的有效性。

摘要：分析了FY 1C卫星运行轨道空间辐射环境 ,介绍了整星、单机、器件抗辐射要求。卫星研制过程中 ,对各单机和系统在技术设计、元器件选择、软件编制等的抗辐射加固设计要求。特别对有CPU和存储器的单粒子翻转效应 (SEU)和闩锁效应 (SEL)试验。

摘要：空间辐射对飞行器可造成辐射损伤甚至失效,对航天员的生命健康安全存在着威胁。随着航天活动的深入,对空间辐射探测技术的发展提出了更高的要求。通过辐射敏感场效应晶体管(RADFET)探测技术设计研制了总剂量探测器,介绍了探测器的设计原理和测试数据分析,以及研究发展方向和空间应用展望。

摘要：空间辐射是给航天器电子设备带来恶劣影响的罪魁祸首。辐射可能导致电子器件和材料性能衰退,甚至失效,同时还会对器件功能、性能造成不同程度的瞬态影响。尤其是单粒子翻转（Single Event Upset）,可能会引起器件电性能状态的改变,造成逻辑器件或电路的逻辑错误,