摘要：一、选择题:本题共8小题,每小题5分,共40分.在每小题给出四个选项中,只有一项是符合题目要求的.1.已知集合A={x∈Z|x 2-2x-8<0},集合B={x|x x-2≤0},则A∩B=().A.{0,1,2}B.[0,2)C.{0,1}D.[0,1)2.已知i为虚数单位,复数z满足(1-i)z=3+i,则z-在复平面上对应的点在().A.第一象限B.第二象限C.第三象限D.第四象限3.已知向量a,b满足|a|=|b|=33|a+b|=1,则|a-b|=().

摘要：针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。

摘要：中考最后一题一般是几何、代数综合题,而以抛物线为载体的几何综合题往往是命题的方向.在中考复习过程中的习题课教学中如何重视这类试题的研发与变式应用,值得我们一线教师思考.本文以2015鄂州中考第23题为例,先给出解题思路和解后反思,并围绕考题展开微设计.

摘要：一、问题的提出在设计组合机床或精密度较高的机床时须要根据齿轮的“模数”m“齿数”z,和它们之间的相咬关系来确定主轴相的位置,这就是搪孔轴线坐标计算的问题。这个问题化成数学问题就是,(如图):

摘要：第一天-- 老师对我父母说,我是班里最笨的孩子。但今天,我在幼儿园的第三象限创造了一颗恒星。老师深感意外,他试图不让其他孩子知道,并且说,太阳的凤凰反应很有艺术性。但难道就没有实用价值吗? 我也不在乎,反正它很美。