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检索条件"主题词=红光发光二极管"
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MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管
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《光电子.激光》2008年 第5期19卷 591-594页
作者:韩军 邢艳辉 李建军 邓军 于晓东 林委之 刘莹 沈光地北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室北京100022 
设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个Al-GaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd。
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AlGaInP红光LED的复合分布式布拉格反射镜的生长优化
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《固体电子学研究与进展》2018年 第6期38卷 434-438页
作者:刘仲明 牛萍娟 王迪 刘宏伟 卢天博 于丹丹 郏成奎天津工业大学电气工程与自动化学院天津300387 天津三安光电有限公司天津300384 天津工业大学电子与信息工程学院天津300387 
复合分布式布拉格反射镜(DBR)可以拓展反射图谱的宽度,从而能够反射更长波长的光,通过设计不同的波长组合得到的复合分布式布拉格反射镜可以优化其反射率。采用金属有机化合物化学气相沉淀法生长复合分布式布拉格反射镜样品,并使用光致...
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