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CCD纵向抗晕结构设计与优化: 收藏
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引用; 《现代电子技术》2010年第16期33卷 172-174页; 作者：武利翻西安邮电学院陕西西安710121; 为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的...; 为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。; 来源：详细信息评论

823×592元内线转移CCD图像传感器: 收藏
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引用; 《半导体光电》2015年第6期36卷 905-908页; 作者：杨洪雷仁方郑渝吕玉冰翁雪涛重庆光电技术研究所重庆400060; 采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。; 采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。; 来源：详细信息评论

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