摘要：设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.

摘要：本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5～8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求.

摘要：基于0.18-μm 1.8VCMOS标准工艺,设计了一个高精度开关电流存储单元。通过设置存储晶体管工作于线性区,并结合虚拟开关等技术,降低了由阈值电压失配和时钟馈通所产生的谐波失真,有效消除了增益误差和漂移误差。利用Spectre仿真器,对版图进行后仿真验证。当输入信号频率为200kHz、幅度为5μA、采样频率为5MHz时,误差仅为0.5%,输入信号幅度低至1μA时,误差依然低于1%。仿真结果表明,电路具有高精度,可作为滤波器、Σ-Δ调制器等系统的基本模块。

摘要：设计人员都用直流电子负载来测试电源,如太阳能阵列或电池,但商用直流电子负载很昂贵.你只要将功率MOSFET在其线性区内使用,就可制作出自己的直流电子负载(图1).该负载采用两个简单的反馈回路.MOSFET用作一个稳流模式下的电流源或稳压模式下的电压源.设计师在描述电压源的特性时都使用稳流模式,因为在稳流模式下,电源必须提供电子负载中设定的电流值.设计师都将稳压模式与电流源一起使用,因为稳压模式会迫使电源在负载设定的电压下工作.

摘要：分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下,–50^+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃,基准电压源输出电压约为992 m V,25℃时静态电流为327.3 n A,电路总静态功耗为0.59μW,10 k Hz时的电源抑制比为–25.36 d B。

摘要：设计了一种用于零中频GPS接收机的低闪烁噪声混频器。通过对吉尔伯特(Gilbert)混频器噪声机制的分析,以及对MOS管偏置在不同区域时噪声性能的研究,将吉尔伯特混频器的开关MOS管偏置在线性区,从而降低其闪烁噪声。该电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行了仿真,结果显示,改进后的混频器明显降低了低频区域的闪烁噪声,而对混频器的其他性能没有影响。

摘要：设计人员都用直流电子负载来测试电源,如太阳能阵列或电池,但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率MOSFET在其线性区内使用,就可制作出自己的直流电子负载。