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基于虚像相位阵列的光谱检测中角色散均匀性的研究
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《光谱学与光谱分析》2024年 第7期44卷 1827-1834页
作者:纪文杰 谭中伟北京交通大学电子信息工程学院光波技术研究所北京100044 
随着光谱学的不断发展,光谱检测作为一种快速无损的检测手段逐渐被应用于越来越多的领域中。而随着对信息精要求的不断提高,如何得到高分辨率和低波长误差的光谱信息,是设计光谱检测系统时必须解决的问题。传统的色散元件如衍射光栅,...
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ArF准分子激光器脉冲参数高精在线测量系统设计与实现
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《红外与激光工程》2024年 第6期53卷 71-80页
作者:赵万琦 江锐 冯泽斌 许泽 郭宁 蒋衍 朱精果中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 北京科益虹源光电技术有限公司北京100176 
保持激光光源输出能量稳定是光刻的关键环节,需要对深紫外准分子光源脉冲参数进行高精在线测量。传统的准分子激光器能量测量装置多工作于低重复频率,针对高重频准分子激光器脉冲测量需求,设计了激光脉冲参数在线测量系统,使用峰值保...
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阀用位移传感器的多目标优化设计与仿真
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《机床与液压》2024年 第7期52卷 117-122页
作者:冯淑慧 闵为 王鹤明 杨森兰州理工大学能源与动力工程学院甘肃兰州730050 
为解决阀用位移传感器多目标多准则的电磁结构耦合优化设计问题,针对径向尺寸受到严格约束的长行程、高精阀用位移传感器,运用MATLAB编写优化算法程序,得到以线性度和灵敏为目标、以结构尺寸参数为约束条件的最优化参数匹配组。根...
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2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计
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《湖南大学学报(自然科学版)》2023年 第10期50卷 77-83页
作者:傅海鹏 史昕宇天津大学微电子学院天津300072 
为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出...
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一种11bit流水线高速模数转换器
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《半导体技术》2024年 第6期49卷 561-568页
作者:黄政 蔡孟冶 姜岩峰江南大学物联网工程学院电子工程系江苏无锡214122 
为解决流水线模数转换器(ADC)在连续工作时功耗高、电容器匹配有限以及运算放大器大摆幅输出信号下线性度下降的问题,基于0.5μm BCD工艺,设计了一款11 bit流水线高速ADC。提出了无采样保持放大器、幅减半和多位量化相结合的设计方...
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一种新型高精互感式位移传感器
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《轴承》2024年 第7期 45-51页
作者:胡晓强 窦峰山 彭增德 刘子钰国防科技大学智能科学学院长沙410003 
提出了一种采用差分结构设计,硅钢片作为铁芯的双E型互感式差分位移传感器,分析了该传感器的基本原理并采用有限元仿真得到传感器最佳线性度时对应的线圈匝数,相对于传统双U型结构,双E型互感式差分位移传感器的测量范围更大,线性度更好...
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堆外核测量系统裂变电离室线性响应研究
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《核电子学与探测技术》2024年 第3期44卷 454-463页
作者:邱顺利 董进诚 葛孟团 肖伟 孙光智 周宇琳 曾乐 刘海峰 翟春荣 汤仲鸣 石先武 刘文臻武汉第二船舶设计研究所武汉430205 国核自仪系统工程有限公司上海200233 
为满足先进反应堆堆外核测量系统中间量程测量通道灵敏高、探测器灵敏区长、反应堆线性响应好的需求,采用多支灵敏区长具有一定比例关系、同时机械结构完全相同的裂变电离室,进行热中子灵敏标定和反应堆线性响应研究,以为核电厂...
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基于牺牲层工艺的CMUT阵列设计制造及性能表征
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《传感器与微系统》2024年 第3期43卷 108-111页
作者:梁永 孟繁胜 王任鑫 张国军 贾利成 张文栋中北大学仪器与电子学院省部共建动态测试技术国家重点实验室山西太原030051 
电容式微机械超声换能器(CMUT)具备比压电式超声换能器微型化、高密阵元集成、高机电耦合系数等优势,在医学成像、流量测量等领域展现出巨大的潜力。本文基于牺牲层释放工艺,设计并成功制造了高密集成的微型CMUT阵元,在水中对其进...
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基于霍尔效应的微波功率线性测量技术研究
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《微波学报》2024年 第2期40卷 66-69,83页
作者:马悦心 卢波 许凌飞 陈娅莉 白兴宇核工业西南物理研究院成都610225 
为了提高微波功率测量的准确性,文中将平面电磁波作用于霍尔器件,用解析方法得到了霍尔电压的直流分量与微波功率密之间的线性关系。基于同轴线设计了通过式与吸收式两种型号的微波功率探测器。以同轴通过式为例,在0.1 mW~50.0 mW的...
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应用于0.5~12.5Gb/s CMOS时钟数据恢复电路的相位插值器设计
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《电子设计工程》2024年 第10期32卷 130-134页
作者:张媛菲 赵宏亮 尹飞飞辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 
文中采用28 nm CMOS工艺,设计了一款应用于半速率CDR电路中的相位插值器。该插值器采用锁相环提供的正交参考时钟,通过编码控制的DAC电流源调整电流权重控制输出相位,一个周期内可实现128次相位插值。为了提高接收器在多通道、多协议的...
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