摘要：硅通孔(TSV)的电阻开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的良率和可靠性,为在制造流中尽早排除故障TSV,提出一种基于环形振荡器的绑定前TSV测试方法.首先将环形振荡器的TSV接收器分为一般反相器和施密特触发器,并比较这2种环形振荡器的测试分辨率;然后把施密特触发器作为TSV接收器引入绑定前TSV测试;为防止误测或误诊断,采用多个低电压测试TSV.基于45 nm PTM CMOS工艺的HSPICE模拟结果表明,与现有同类方法相比,该方法具有更高的测试分辨率,且能测试大电容TSV和同时存在电阻开路故障和泄漏故障的TSV.

摘要：随着3D堆叠技术的不断发展,芯片测试已成为一大研究热点。为了减少三维堆叠集成电路(three dimensional stacked integrated circuits,3D-SICs)绑定前和绑定中的总测试时间,提出了基于芯核分层布图的改进模拟退火算法和扫描链分配算法,通过将芯核均匀地分配到各层上实现对各层电路中芯核合理化地布图,再利用"绑定中测试"复用"绑定前测试"扫描链的方式,协同优化绑定前和绑定中的总测试时间和硬件开销。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,本文方法在TSV数量的约束下,测试时间和硬件开销分别最高降低了27.26%和89.70%,且各层芯核布图更加均匀。

摘要：过硅通孔技术,提供了高密度、低延时和低功耗的垂直互连,芯片在三维方向堆叠的密度大、互连线短,从而使三维堆叠芯片成为可能。文章介绍了基于TSVs的三维堆叠芯片新的测试流程、TSVs绑定前测试的挑战和TSVs绑定后的可靠性与测试挑战,包括KGD与KGD晶圆级测试和老化、DFT技术、绑定前可测性、测试经济性、TSVs绑定后的可靠性和测试问题,以及三维集成独有的问题,并介绍了这一领域的早期研究成果。

摘要：提出了一种基于分层结构的内建自测试(BIST)设计方法—3DC-BIST(3D Circuit-BIST)。根据3D芯片的绑定前测试和绑定后测试阶段,针对3D芯片除底层外的各层电路结构,采用传统方法,设计用于绑定前测试的相应BIST结构;针对3D芯片底层电路结构与整体结构,通过向量调整技术,设计既能用于底层电路绑定前测试又能用于整体3D芯片绑定后测试的BIST结构。给出了一种针对3D芯片的BIST设计方法,与传统方法相比减少了面积开销。实验结果表明该结构在实现与传统3D BIST方法同样故障覆盖率的条件下,3D平面面积开销相比传统设计方法减少了6.41%。