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串并联个数和温度对光伏电池结电容的影响研究
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《系统仿真学报》2015年 第6期27卷 1394-1400页
作者:赵志刚 张纯杰 高溥 桑虎堂 李晓黔兰州交通大学机电工程学院兰州730070 
研究光伏电池的动态参数对设计光伏发电系统相应后级控制器至关重要。从分析光伏电池物理机理出发,推导出光伏电池单体/模组/阵列的结电容与偏置电压之间的较精确表达式;在提取模型中等效串联电阻和饱和电流的值的基础上,使用Lambert W...
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结电容对双向CLLC谐振变换器影响的研究
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《电力电子技术》2019年 第6期53卷 104-107页
作者:詹天霞 戴慧纯 张方禹 王正仕浙江大学电气工程学院 
介绍一种基于CLLC拓扑的双向DC/DC谐振变换器,该变换器容易受到谐振腔寄生参数的影响。此处在考虑次级结电容这一寄生参数的情况下,对变换器的工作模态进行分析,并根据变换器等效电路列出次级结电容参与电路工作时各关键波形的表达式,...
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碲锌镉半导体探测器漏电流和结电容的测试
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《核电子学与探测技术》2016年 第7期36卷 690-693页
作者:李元东 曾国强 葛良全 谭承君 徐亚东成都理工大学地学核技术四川省重点实验室成都610051 西北工业大学航空学院西安710072 
为进一步研究碲锌镉半导体探测器(简称CZT探测器)的特性,搭建了其漏电流和结电容等主要特性参数的测试平台,设计了测试方案,并在不同条件下测试了两种不同结构的探测器,分析了测试结果。通过本次实验,可较好地掌握CZT探测器的主要特性,...
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直接测量法测定CZT探测器漏电流与结电容
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《核电子学与探测技术》2016年 第7期36卷 747-749,754页
作者:李元东 曾国强 葛良全 谭承君 徐亚东成都理工大学地学核技术四川省重点实验室成都610051 西北工业大学航空学院西安710072 
为弥补CZT探测器漏电流与结电容间接测量法的不足,采用直接测量法重新设计了测试方案。通过对CZT探测器的测试,给出了更精确的漏电流与结电容的数值,并将之与间接测量法的数据作了相应的对比,为CZT探测器的应用提供了更可靠的依据。
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测试p-n结结电容新法
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《半导体技术》1995年 第2期11卷 61-62页
作者:简敬三漳州得望电子集团公司 
测试p-n结结电容新法漳州得望电子集团公司(福建363000)简敬三电容是电子电路的重要构件,既有人们设计需要的元件,又有人们不需要的随器件布线而存在电容。后者严重损害交流特性。因此测量,电容是工程技术人员探讨的重要...
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结电容对功率MOSFET关断特性的影响分析
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《电子产品世界》2022年 第10期29卷 71-74页
作者:丁继 唐开锋华润微电子(重庆)有限公司重庆400000 
为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉...
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锁模激光照射下InGaAs p-i-n管的负电压响应机理
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《红外与毫米波学报》2015年 第1期34卷 36-40页
作者:胡伟 孙晓泉 豆贤安电子工程学院脉冲功率与激光技术国家重点实验室安徽合肥230037 
在考察InGaAs p-i-n管对锁模激光响应的实验中,发现其响应电压在经历一个快速的上升沿和缓慢的拖尾以后有一个明显的负电压.在二极管的线性响应阶段,负电压与正电压的峰值之比大约在0.18左右,且不随激光脉冲能量的增大而改变;在二极管...
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一种改进光探测器高速性能的新方法
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《光电子.激光》2009年 第5期20卷 567-570页
作者:雒伟伟 黄永清 黄辉 苗昂 王琦 任晓敏北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室北京100876 
研究了一种在光探测器的结构设计中加入平面螺旋电感从而提高光探测器高速性能的新方法。对影响探测器频率响应的因素进行分析,结果表明,增加电感值可以减小结电容对高速性能的限制,仿真结果也得到同样的结论。根据理论分析结果制作出...
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基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性
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《高电压技术》2011年 第12期37卷 2891-2896页
作者:陈永光 刘进 谭志良 张希军 李名杰军械工程学院石家庄050003 
为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完...
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MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器
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《Journal of Semiconductors》2005年 第10期26卷 1995-2000页
作者:黄家乐 毛陆虹 陈弘达 高鹏 刘金彬 雷晓荃天津大学电子与信息工程学院天津300072 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 
为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响...
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