摘要：研究光伏电池的动态参数对设计光伏发电系统相应后级控制器至关重要。从分析光伏电池物理机理出发,推导出光伏电池单体/模组/阵列的结电容与偏置电压之间的较精确表达式;在提取模型中等效串联电阻和饱和电流的值的基础上,使用Lambert W函数推导出偏置电压与输出电压之间的显式表达式;采用工程数学模型结合本征载流子浓度表达式推导了结电容与温度的较精确关系式;分别在不同串并联个数和温度下对结电容的影响做了仿真分析。仿真结果与部分文献的实验结果相吻合,验证了理论的正确性。

摘要：介绍一种基于CLLC拓扑的双向DC/DC谐振变换器,该变换器容易受到谐振腔寄生参数的影响。此处在考虑次级结电容这一寄生参数的情况下,对变换器的工作模态进行分析,并根据变换器等效电路列出次级结电容参与电路工作时各关键波形的表达式,以讨论结电容带来的振荡对电路的危害。使用基波分析法推导考虑结电容影响的变换器增益公式,在此基础上提出变换器的优化设计方案以缓解结电容带来的电路振荡,采用burst-mode控制策略以解决输出电压漂高的问题。最后通过一台3.3 kW的实验样机对上述分析及设计方案进行验证。

摘要：为进一步研究碲锌镉半导体探测器(简称CZT探测器)的特性,搭建了其漏电流和结电容等主要特性参数的测试平台,设计了测试方案,并在不同条件下测试了两种不同结构的探测器,分析了测试结果。通过本次实验,可较好地掌握CZT探测器的主要特性,从而为其在射线探测领域的应用提供参考依据。

摘要：为弥补CZT探测器漏电流与结电容间接测量法的不足,采用直接测量法重新设计了测试方案。通过对CZT探测器的测试,给出了更精确的漏电流与结电容的数值,并将之与间接测量法的数据作了相应的对比,为CZT探测器的应用提供了更可靠的依据。

摘要：测试ｐ－ｎ结结电容新法漳州得望电子集团公司（福建３６３０００）简敬三电容是电子电路的重要构件，既有人们设计需要的元件，又有人们不需要的随器件布线而存在电容。后者严重损害交流特性。因此测量，电容是工程技术人员探讨的重要课题，是难度较高的技术。它不同于电...

摘要：为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉冲实验,实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于器件设计优化和应用改善。

摘要：在考察InGaAs p-i-n管对锁模激光响应的实验中,发现其响应电压在经历一个快速的上升沿和缓慢的拖尾以后有一个明显的负电压.在二极管的线性响应阶段,负电压与正电压的峰值之比大约在0.18左右,且不随激光脉冲能量的增大而改变;在二极管的非线性响应阶段,随着光脉冲能量的增大,负电压逐渐变小最终消失.通过对p-in管的等效电路模型的建立以及对RLC振荡电路方程的求解,认为负电压的产生是由于二极管表现出了可观的电感特性,而负电压的消失是由于二极管的结电容随着光脉冲能量增大而增大的结果.该研究结果对InGaAs p-i-n管的设计和制造具有一定的理论指导作用.

摘要：研究了一种在光探测器的结构设计中加入平面螺旋电感从而提高光探测器高速性能的新方法。对影响探测器频率响应的因素进行分析,结果表明,增加电感值可以减小结电容对高速性能的限制,仿真结果也得到同样的结论。根据理论分析结果制作出探测器并进行测量,测量数据显示,未加电感的光探测器高速性能只能达到2GHz,而加电感的光探测器高速性能最大,可以达到5GHz,证明了电感值的增加可以明显提高器件的高速性能,得到了与理论分析一致的结果。

摘要：为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差<0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明:当阱间距取5.00μm,N+与P+间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N+与P+的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。

摘要：为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.