摘要：绝缘介质表面流注的发展是沿面闪络中的重要的物理过程,研究绝缘介质表面流注的发展特性有助于揭示沿面闪络的机理,对输电线路及电力设备的绝缘设计有着重要的意义。在"三电极"结构中,利用光电倍增管测量不同绝缘介质表面流注传播概率和传播速度随平板间电场强度的变化规律:绝缘介质表面流注传播所需的稳定传播场强大于流注在空气间隙中稳定传播的场强;同时,在高场强下,绝缘介质表面流注拥有"沿面分量"和"空气分量"2个分量,而流注在空气间隙中传播时不存在"沿面分量",只有"空气分量"。此外,不同绝缘介质表面流注稳定传播场强和传播速度存在差异:沿面流注的稳定传播场强与介质的介电常数成正比;流注的传播速度与介质的介电常数的关系不太明显,主要与介质表面电荷附着效应和光致电子发射效应有关。

摘要：在多路绝缘介质高压方波寿命试验中,为提高加速老化绝缘寿命试验的效率,设计了监控记录各试验支路状态的热敏检测绝缘介质寿命记录仪。该仪器通过PTC热敏电阻监测高压回路中限流电阻温度变化提取介质击穿信号,以单片机AT89c55为运算控制中心,采用热信号时间差分数字算法处理及控制信号。该方式受电磁干扰小,与高压回路无直接电气连接安全性高。该记录仪已实际应用,可在1~3 s内切除击穿支路,击穿时间记录误差〈2%,装置动作时间内因其限流电阻作用能有效保护脉冲电源。

摘要：为在线监测tanδ,比较研究不同方案后 ,确定了基于过零比较法原理的设计方案 ,用双极性过零整形 ,并通过软件编程实现数字滤波、过零整形、逻辑与和计算 ,克服了因模拟滤波器滤波不彻底或零点漂移等影响 ,且能有效抑制高次谐波、直流、白噪声 ,将误差控制在角度的分辨率之内。

摘要：电力系统输变电电压的不断提高和限制过电压措施的改进，使长期工作电压对高压设备绝缘介质的影响显得日益重要。现有的研究说明高压设备在工作电压下的局部放电是使绝缘介质劣化并发展到击穿的重要原因，因此测量局部放电在大多数高压主设备的试验程序中被列为一个例行试验项目。许多人还致力于进行局部放电的连续（在线）监测（Jackson，Wilson和Giesner，1980年），以对高压设备的起始劣化报警。1局部放电产生的原因及放电过程1．l局部放电产生原因高压设备在绝缘结构设计时为了使电场分布均匀，大多数电容型绝缘结构（如高压电缆，电力电容器，变压器套管，电流互感器等），极间绝缘介质均采用多层固体绝缘介质（如聚乙烯，聚丙烯，电缆纸等）卷绕，并在真空下浸演性能优良的绝缘油而成。在制造过程中由于真空浸渍工艺不良或由于固体绝缘介质自身的缺陷，在多层绝缘材料的层间的油隙中有残留气泡，固体绝缘材料内部存在气孔，而这些气体的介电常数和耐电强度都比固体及液体低得多。图1表示介质结构中含有一扁圆形的气泡，假定扁圆形的气泡的轴线与介质中的交流电场E。平行，不难证明，气泡上的电场强度为：E，I＊）0－1）I）＼且／EO式中，。‘；和。。分别为介...

摘要：设计了一种结构紧凑的陶瓷电容器型脉冲调制器，对其电路进行了理论计算，分析了主要参数对调制器输出波形的影响，并用PSpice软件建立电路模型进行验证，模拟结果与理论计算结果相符较好。该调制器能够产生上升前沿小于10ns、脉宽30-40ns、幅度为100-200kV的可调高电压脉冲。该调制器用陶瓷电容器作为储能器件，用SFs作为绝缘介质，是一种无液体的脉冲调制器，具有结构紧凑、体积小、重量轻等特点。

摘要：直流电阻分压器的散热问题是制约其长期运行可靠性、测量精度的关键因素之一,尤其在分压器工作电流较高时。笔者通过实验及仿真分析相结合的方法,找到了一种解决方案。设计了一种以高导热系数的固体物质为绝缘介质的直流分压器结构,进行了温度场的计算和温度测量试验。该设计为开发直流电子式电压互感器产品提供了基础。

摘要：1前言不接地电压互感器一、二次绕组间的主绝缘要承受全部的工频试验电压,那么,其主绝缘厚度应怎样定位才能使产品不至于耐压击穿？

摘要：6．5．2变压器油的电气强度变压器油是变压器内绝缘的一种主要绝缘介质，所以必须研究变压器油电气强度。目前对液体电介质还提不出一个较完善的击穿理论，其主要原因是液体介质中总含有气体、液体或固体杂质，这些杂质对击穿过程有很大影响。关于纯净液体介质的击穿理论有两大类，即电击穿理论和气泡击穿理论。

摘要：结合变压器分接开关内绝缘介质和场域的特点,采用ANSYS软件构建了分接开关绝缘板二维数值计算模型,分析了绝缘结构中的油隙及中心轴参数对电场分布的影响,并通过神经网络构建了绝缘板参数输入输出模型,实现了变压器动触头绝缘板结构参数最优化设计。

摘要：随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。