摘要：目前的高压保护开关缓冲电路参数设计缺乏相关理论设计方法,同时缓冲电路方案由于设计过程中并未考虑分布电容影响,因此均为等参数设计方案,这种方法均压效果不够理想。为了解决目前参数设计中存在的问题,首先建立了含缓冲电路和杂散电感的MOSFET模型并对其关断过程进行了分析,从而得到了抑制电压尖峰的缓冲电路理论设计方法及表达式。针对串联均压未考虑分布电容的问题,通过构造等电位点,建立了含有分布电容的等效电路并进行分析,根据电荷方程等式得到了缓冲电路非等参数设计方法及表达式,该参数设计方法可以补偿分布电容造成的电压分布不均,并更好地指导高压保护开关的均压方案设计。为了验证参数设计的合理性进行了仿真分析,结果表明,最终得到的整体设计方案可以满足尖峰抑制以及均压的设计要求。

摘要：在大多数研究中,缓冲电容对设备损耗的影响仅局限于关断过程,固态断路器的故障导通过程及重合闸开通过程受缓冲电容影响被长期忽略。针对这一问题,基于SiC MOSFET在固态断路器动作过程中的暂态过程分析,对故障导通过程、关断过程及开通的器件损耗进行了分析计算,并得出了缓冲电容对于各个阶段的损耗影响:当缓冲电容增大时,器件的故障导通损耗及关断损耗有所减小,但是其开通损耗将会显著增加。因此,基于SiC MOSFET的固态断路器缓冲电容存在最佳设计值,通过理论公式计算可得,当缓冲电容为0.389μF时,其理论损耗最小,通过实验测量可得,当缓冲电容为0.36μF时,其器件的总体损耗最小,实验值与理论计算结果接近,证明了理论分析的准确性。

摘要：研发能够快速开断大电流,可靠性和经济性好的高压直流断路器成为构建多端直流电网的主要技术瓶颈。文中提出了一种新型电容缓冲式混合高压直流断路器的两种不同开断模式,分析了相对高压直流断路器主流拓扑方案所做的改进;通过PSCAD仿真模型,对比了无弧开断模式和燃弧开断模式的优缺点;最后指出了该种高压直流断路器仍需研究的问题。

摘要：提岀了一种开关管馈能式零电压软关断电路,由缓冲电路、储能电容和馈能电路构成。当开关管关断时,由缓冲电路中的缓冲电容实现开关管的零电压软关断;当开关管导通时,缓冲电容上的能量再通过一个谐振电路转移到储能电容。储能电容接受每次开关管开通时由缓冲电容上转移过来的能量,使电压逐步上升。当储能电容电压上升到阈值电压时,馈能电路工作,将储能电容的能量迅速转移到主电路的输出电容上,实现能量回馈。其次,分析了电路的工作原理和关键的器件设计方法。最后,搭建了一台实验样机,设计了控制电路,并验证了电路的有效性。