摘要：分析了复合绝缘的规律 ,设计及实施了模拟试验 ,并将结果推广至实际应用中 ,结果表明模拟试验与实际应用的测试数据与理论分析较好吻合 。

摘要：高压直流断路器是实现直流组网的重要设备。以张北工程±535 kV混合式直流断路器作为研究对象,主要针对其绝缘结构进行分析和设计。运用PSCAD搭建了直流断路器的宽频模型,获得了其内部电压的分布规律;结合系统对断路器的整体绝缘要求,提出了直流断路器关键零部件的耐压水平;在直流断路器整体布局的基础上,结合运行环境、电压波形、电极型式等进行了等电位设计和绝缘配合设计;运用有限元法对直流断路器三维全场域模型进行了典型工况下的电场校核;在此基础上,对直流断路器的绝缘结构进行了试验验证。通过本文研究,提出了适用于直流断路器绝缘结构的模块化、分区域、分层级和单点就近固定电位的设计方法;直流断路器金具表面最大电场强度在雷电冲击电压下为27.7 kV/cm,在分断过程中为19 kV/cm;直流断路器在型式试验中未发生闪络或击穿,满足了工程应用要求。研究结果可为高压设备的绝缘结构设计提供参考。

摘要：电涌保护器的选用和安装与配电系统的型式、建筑物的防雷分类和设备的耐压水平等都有关联。结合精细化工企业的特点,介绍了电涌保护器在精细化工企业低压配电系统中的应用,并根据相关规范,对电涌保护器的参数、安装位置等问题进行了分析说明。

摘要：1 前言 本文讨论葛—上直流输电工程葛洲坝换流站可控硅阀的过电压及绝缘配合。 可控硅换流阀约占换流站设备投资的25％,葛洲坝和南桥两个换流站采用完全相同的换流阀,葛洲坝站由瑞士BBC公司供货,南桥站由西门子公司提供。每站双极,每极一组12脉冲阀桥,每一个12脉冲阀桥由3个四重阀共12个阀臂(单阀)组成,每个阀臂由120个可控硅元件串联而成,也就是说,每站共有2×12×120个=2880个可控硅元件。

摘要：单个IGBT的耐压水平有限,通常通过串联使用来提高耐压值。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是需要解决的关键性问题。针对IGBT串联中以往各种均压驱动技术,本文提出了一种串联IGBT均压驱动的新思路,使用单一信号驱动串联IGBT的设计方法,其电路结构简单可靠,均压效果理想,导通关断延时基本取决有IGBT器件本身。通过Multisim软件进行了仿真,验证了可行性。1引言功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)为电压控制型器,其具有输入阻抗高、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低的特点,已经广泛应用于电力电子和高压变频等领域。然而单个IGBT器件的耐压值有限,IGBT串联使用可以提高其耐压值,是现今最常用的方法。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是IGBT串联使用中的关键性问题。

摘要：在10 kV低电阻接地系统中;由于10 kV接地故障接地电流较大,10 kV接地故障产生转移电位的危害就凸显出来。为了防止10 kV接地故障产生转移电位的危害,本文认为：＂在10 kV低电阻接地系统中,低压用户侧采用TT系统接地形式,要求配电室设计采用两个接地网,一个工作接地网,一个保护接地网,作为供电电源的10 kV配电室的低压系统采用TN系统接地形式送电是合理的选择。＂为了阐述这一观点,首先要了解有关10 kV接地故障产生转移电位的产生及危害、低压柜的耐压水平、低压电缆的耐压水平。

摘要：BD9G34IAEFJ采用功率系统工艺0．6um的高耐压BiCDMOS，作为非绝缘型DC／DC转换器，实现了80V的业界最高耐压水平，在ROHM的DC／DC转换器产品阵容中，也是耐压最高的产品。利用ROHM擅长的模拟设计技术优势，在80V级的DC／DC转换器中，还实现了业界最高的转换效率。

摘要：相比常规开关产品,气体绝缘封闭式开关设备(GIS)在恶劣环境中表现更加可靠,占地面积仅为原先的70%,并且因维护工作量小而更具成本效益。可插拔连接方案能够补偿温度变化带来的热膨胀,并且其平滑和圆形的形状设计使电场强度影响最小化。这使得产品具有更高的耐压水平,绝缘距离更短或开关设备体积更小。此外,可插拔连接方案的应用还可降低安装成本。