摘要：为了研究蒙特卡洛法计算空间辐射制冷器耦合因子 ,文中通过计算平面 W型空间辐射制冷器二级冷块耦合因子 ,介绍了计算流程 ,并以积分分布概率为基础研究了相关核心算法。计算结果表明 ,采用以积分分布概率为基础的核心算法 ,蒙特卡洛法替代传统耦合因子计算方法 ,具有计算结果精度高的优点 。

摘要：抛物面屏是G型辐冷器的主要制冷部件之一 ,蒙特卡洛法计算其与各辐射表面之间耦合因子的关键是正确模拟计算随机辐射能束的发射位置与发射方向。对于抛物面屏这种立体曲面截面 ,提出新的算法正确模拟计算随机辐射能束的发射位置与发射方向。通过扩展抛物面屏曲面 ,删除抛物面屏外的辐射能束 ,筛选初次模拟辐射能束 ,解决了发射位置的模拟计算。通过切平面坐标与原辐冷器坐标变换 ,将切平面辐射能束的发射方向变换坐标系 ,解决了发射方向的模拟计算。以上述算法为基础 ,蒙特卡洛法准确计算了G型辐冷器抛物面屏对各表面的耦合因子 ,并对计算结果进行了误差分析。

摘要：水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。

摘要：设计了一个多缺陷的一维光子晶体,并利用传输理论研究其透射谱.利用泰勒展式的一级近似,得到了缺陷模频率的解析表达式,进而得到紧束缚理论中的耦合因子.这些结论与实验结果或数值模拟相符合,可以很好地描述缺陷模的有关规律,对多通道滤波器的设计具有指导意义.

摘要：以2个比例方向阀组成的负载口独立控制系统为研究对象,分析其压力与速度复合控制中的耦合特性.基于相对增益矩阵,推导反应其相互干扰程度强弱的耦合因子;理论分析其耦合程度与系统不同工作参数之间的关系,总结降低耦合程度的负载口独立系统设计及控制准则.通过仿真模型以及2t小挖系统试验测试,分析该系统的速度及压力特性,验证理论分析的正确性.针对耦合特性的准确分析可为改善负载口独立系统多变量控制性能提供了理论参考.

摘要：基于环境腐蚀和疲劳振动的相互作用,建立了腐蚀疲劳耦合损伤模型,分析Q345角钢力学性能在腐蚀疲劳耦合作用下的退化规律.利用目标地区年降雨时间统计数据建立环境腐蚀模型,并将能量耗散与疲劳裂纹扩展Paris公式相结合给出衡量疲劳损伤的演化模型.与此同时,为有效衡量腐蚀与疲劳之间的相互关系提出耦合因子,并基于该因子将腐蚀和疲劳的损伤模型相结合建立腐蚀疲劳耦合损伤模型.最后,对20根规格为70mm×5mm的Q345等边角钢展开拟静力试验,分析腐蚀、疲劳及其偶合作用对角钢承载能力和耗能性能的影响规律,建立各参数耦合损伤退化模型.结果发现:腐蚀疲劳耦合作用能显著促进构件损伤的发展,但现行设计规范和研究很少考虑这种影响;Q345角钢的承载能力、滞回曲线形状和循环次数等均随腐蚀疲劳耦合作用增加发生了明显变化,加速腐蚀12h和疲劳振动4.0×104次的耦合作用使延性系数和累积耗能参数的退化率比两者单独作用造成的损伤总和多11.1%和7.7%.

摘要：梯状光纤延迟线编解码器是各类延迟线编解码器中最有前途的一种。文章就其设计方法进行了详细的分析和讨论，并着重分析了其中光纤耦合器的最佳耦合因子的设计。将不同情况下的耦合因子对自相关峰值和旁瓣抑制比的影响作了比较。研究表明，要实现正确的解码，各点的最佳耦合因子应使旁瓣抑制比和自相关峰值达到最大。据此设计的编解码器具有良好的性能。

摘要：光栅结构的设计和制作直接决定了分布反馈（DFB）半导体激光器光电特性的优劣。采用传输矩阵法模拟了不同光栅耦合因子下随机相位对均匀光栅DFB芯片特性的影响,获得了芯片的光电参数分布。通过分析耦合因子对芯片光电参数分布的影响,提高了DFB芯片的成品率。设计并制备了基于Al Ga In As材料体系的脊波导DFB激光器,最终使芯片双峰比例仅为7.7%、成品率达到60%。对合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光谱进行了测试,结果表明芯片性能优良,芯片远场发散角为25°和21°。芯片的小信号频带响应和眼图测试结果表明芯片完全满足2.5 Gbit/s的应用要求。

摘要：电调谐滤波器因其成本低、体积小和良好的跟踪滤波特性在射频接收领域得到了广泛应用和发展。通过分析耦合因子对调谐回路的影响,介绍了一种电调谐滤波器的设计改进方法,解决了宽频带使用时调谐回路耦合因子变化较大的缺点,与常规设计方法相比,滤波器的使用性能有较大的改善和提高。结合ADS仿真和实际测量,验证了该方法的正确性。

摘要：微波传输带中的电荷变化会导致电流产生相应的变化,而且磁通量的改变也会导致电势随之改变。传统微波传输带耦合的静态模型对于布线密集的多层电路板的建模准确率会大大降低。因此,本文提出了一种新的基于微波传输带的耦合模型,可以将复杂结构的电路转化为容性和感性耦合的等效电路。利用这种方法计算出的耦合因子,其最大误差不超过10%,平均误差约为1%。充分说明这种计算方法的精度足够高。实际电路板设计时,在耦合因子固定的情况下,可以根据该模型计算出合理的布线间距。