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一种集成超声传感器新结构
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《固体电子学研究与进展》1998年 第2期18卷 126-130页
作者:郑学仁 刘百勇 李斌 黎沛涛华南理工大学应用物理系广州510641 香港大学电子与电机工程系 
设计了一种具有片上读出电路的集成超声传感器新结构,并用PI来垫高扩展栅电极。和典型POSFET结构相比,所制作样品的灵敏度提高14dB以上,带宽可达7MHz,满足超声传感器需要。
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