摘要：近年来,含硼材料在新能源、催化等领域日益受到重视,然而,对于高附加值的含硼材料发展还存在很高的技术壁垒.因此,亟需深入研究含硼材料微观性质间的关联关系,推动高端含硼材料的研发.本工作面向材料研究从传统的试错法向数据驱动的研究范式转变的需求,通过特征选择、网格搜索优化以及特征重要性分析,探索了多种重要的机器学习算法在含硼材料能隙预测中的应用.结果表明,采用随机森林算法的能隙预测模型决定系数(R^(2))可达0.84,并发现含硼材料的总磁化强度(total magnetization)特征与能隙存在显著的负相关关系,即材料的总磁化强度越小,其能隙越大.本工作表明机器学习方法可用于定向设计具有特定能隙的含硼材料.同时,结果也表明,作为一种集成学习模型,随机森林具有较好的学习能力与稳定的预测性能,可以应用到其它类型材料体系的能隙以及其它材料属性的预测,加速材料性能的设计与优化过程,对新型功能材料的快速筛选与高性能预测具有重要的科学意义.

摘要：在分析了几种基准电压源的基础上 ,设计并实现了一种高精度用于高速串行通信接口的 CMOS能隙基准电压电路。电路采用了两级高增益运放的优化结构 ,基于 TSMC公司的 CMOS 0 .2 5μm混合信号模型的仿真结果表明电路输出电压在 -5 0～ 70°C的温度内波动范围为 0 .0 5 7%。芯片流片测试结果发现基准电压电路在输入电压为 2 .5 V的条件下 ,工作在 -5 0～ 70°C的温度范围内 ,输出电压变化范围为 1 .2 3 3 7～ 1 .2 3 5 6V,输出电压变化率为 0 .1 5 4% ,与仿真结果之间的平均偏差为 0 .0 1 6%。能隙基准电压电路的版图面积为 1 5 8μm× 1 64μm。

摘要：　设计了一种采用0.6μmCMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源。它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15ppm/°C,输出电压变化率仅为18μV/V。

摘要：介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic0.18rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2.2mV。

摘要：中科院物理所／北京凝聚态物理国家实验室（筹）的闻海虎研究组与美国休斯顿大学的潘庶亨教授合作，自主设计搭建了一台高稳定度的低温强磁场STM／STS。

摘要：双层扶手型石墨烯纳米带的带宽既能打开能隙也能关闭能隙,但带宽难以在实验中精准调控.在紧束缚模型下,结合格林函数理论,证实线缺陷能够调控同一带宽的双层扶手型石墨烯纳米带能隙.本文计算了双层扶手型石墨烯纳米带在不同缺陷下的能带结构、格点波函数和输运性质.数值计算表明,带宽N=3n+2(n为整数)的金属带可被L≠3m(L为缺陷位置,m为整数)的线缺陷占位能打开能隙,一条A(B)原子线缺陷足以打开AB堆叠金属带能隙.带宽N≠3n+2的半导带可被L=3m的线缺陷占位能关闭能隙.仅增加带宽,也可关闭AA堆叠半导体带能隙,但不能关闭AB堆叠半导体能隙.缺陷的占位能可由栅压调控,这为设计双层石墨烯基量子器件提供了理论支持.

摘要：本文采用第一性原理中基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)方法,设计了一种新的(TiO2)12量子环结构,研究了它的几何结构、平均结合能及电子云分布等属性.在此新型结构的基础上,分别采用过渡金属化合物MoS2,Mo Se2,Mo Te2,WS2,WSe2和WTe2进行掺杂,并分析了掺杂后体系的几何结构及电子属性(如平均结合能、能级结构、HOMO-LUMO轨道电子云密度分布和电子态密度等).计算结果表明:(TiO2)12量子环直径为1.059 nm,呈中心对称分布,且所有原子组成一个二维平面结构,使其几何结构比较稳定,另外该量子环HOMO-LUMO轨道电子云分布均匀,且能隙为3.17eV,与半导体材料TiO2晶体的能隙的实验值(3.2 eV)非常接近.掺杂后量子环的能隙均大幅减小,其中WTe2的掺杂结果能隙最小,仅为0.61eV,Mo Te2的掺杂结果能隙最大,为1.16 eV,也比掺杂前减小约2.0 eV.其他掺杂结果的能隙都在1eV左右,变化不大.这个能隙的TiO2可以利用大部分的太阳光能,使TiO2具有更为广泛的应用.

摘要：设计并合成了一系列共轭高分子———聚亚苯基苯并二唑 (PBO) ,聚亚乙烯基苯并二唑 (PBOV)和聚亚丁二唑 (PBODV) ,并对它们进行了表征 .用紫外吸收光谱和荧光光谱对聚合物的溶液和薄膜进行了详细的研究 ,研究结果表明分子结构中双键的引入可以降低聚合物的光带能隙 ,λmax从PBO溶液的 4 2 8 5nm (Eg=2 76eV) ,到PBOV溶液的 4 80 5nm (Eg=2 4 6eV) ,再到PBODV溶液的 4 96 0nm (Eg=2 38eV) .共轭程度的增加使得聚合物溶液更容易发生集聚从而导致荧光自熄灭 .

摘要：采用Adler-Longo法,设计合成了两种系列共8种具有对称结构的中位四取代酯类卟啉化合物,通过~1H NMR,^(13)C NMR,IR对其分子结构进行了表征,通过紫外-可见光谱法(UV)、荧光光谱法(PL)和循环伏安法(CV)对这些化合物的光电性能进行了研究;结果表明,所合成的中位四取代酯类卟啉化合物结构正确,并均具有较高的荧光量子效率、较低的轨道能隙,是一类较好的光致电材料,在有机半导体材料、有机太阳能电池等方面具有潜在的应用前景。

摘要：采用密度泛函与含时密度泛函理论对染料分子AQ310,AQ311,AQ312原子替换后的光学性质进行分析.通过分子的几何结构、能级能隙、前线分子轨道、吸收光谱等参数对原子替换后的性质变化进行深入分析与讨论.结果表明,原子替代后的AQ312共轭桥基团扭曲明显,分子对基底敏化时不易发生堆积.此外,AQ312的HOMO能级上升,LUMO能级下降,能隙变小,使分子在受到光的激发后更容易传输电子到基底中,并且与之相对应的是AQ312的吸收峰相比AQ310,AQ311的吸收峰发生明显红移,说明AQ312具有更好的光电性能.