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基于MOSFET的半导体激光器驱动电路设计及其改进: 收藏
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引用; 《中国激光》2012年第B6期39卷 450-453页; 作者：马天翔田小建吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012; 在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时，输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约，而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题，提出了一种MOSFET互补输出电路，...; 在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时，输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约，而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题，提出了一种MOSFET互补输出电路，它能提供更快的脉冲关断时间，并且对过冲的产生起到一定抑制作用。经实验证明，改进后电路的输出得到了改善。; 来源：详细信息评论

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