摘要：针对光纤通信和光传感中常用的集成光学光调制嚣,运用有限差分方法分析了脊型结构光调制器的微波传播特性,建立了相应的数值仿真模型．数值计算表明,脊型结构光调制器比普通结构的调制器有更大的调制带宽和较小的半波电压．在电板宽度为8μm、高度为29 μm,电极间距为25μm,脊高为3．6μm时,调制带宽为100 GHz,半波电压为7．95 V,测试结果与文献[5]符合的较好．

摘要：GaN基脊型激光二极管(LD)的制备工艺中,面临的一个主要困难是p电极和窄脊结构的制备受到光刻对准精度的严重制约。设计和验证了一种基于背向曝光技术的激光器制备工艺。通过预先沉积一层200nm的铝作为挡光掩模和牺牲层,利用ICP蚀刻制备出宽为2.5μm的脊型结构,并使用PECVD沉积SiO2绝缘层。随后采用背向曝光实现二次光刻,将脊型图形精确地转移到电极窗口,继而采用湿法腐蚀SiO2绝缘层打开窗口,借助对的铝掩模腐蚀实现对残余绝缘层的辅助剥离,从而同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握的问题。

摘要：光功率分路器作为无源光网络(PON)重要器件有着极广泛的应用。本文阐述了光波导基本原理和光束传输方法及其应用,使用Opti BPM软件设计了脊型Y结平面分支波导结构,根据光分路器的参数和指标,分析了分支角度,锥形波导长度等相关参数对结构插入损耗影响。

摘要：采用二维有限元法(FEM)模拟了激射波长为1 550 nm的InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)双沟道脊波导(DCRW)激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响。模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响。当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高;当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高。采用AlN钝化层、Au层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6℃。该结果为设计制备InGaAsP/InGaAsP激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP基光子集成回路改善热性能提供参考。