摘要：　分析了单模光纤与脊形波导的耦合模理论,讨论了其模式特点、最佳耦合条件。在此基础上,计算并设计出满足最佳耦合条件的光纤阵列V 型槽宽度。所设计的光纤阵列在对光纤提供高精度定位的同时,又能保证其与脊形波导的高效率耦合。

摘要：利用变分有效折射率法计算了TE基模和高阶模的光场分布,计算结果表明,该方法计算量小,精度高,为聚合物集成光电子器件中脊形光波导的理论分析与优化设计提供了简单高效的途径。利用有限差分束传播法对Mach-Zehnder波导的传播及损耗特性进行了理论分析,得到了不同Y分支角、波导宽度、波导间距时波导传输功率与距离的关系,优化得到的结构参数为:Y分支角1.1°,脊宽5μm,波导间距20μm。

摘要：初步设计14xxnm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xxnmIn-GaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity-spoilinggrooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现LRW=700μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率为0·32W/A,饱和输出功率为1·21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9·6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0·328W/A,饱和输出功率为1·27W,远场仍为近似高斯分布.

摘要：为研究中红外波段的片上波导传感性能,针对2172.75 cm-1处的一氧化碳吸收线,提出基于InGaAs-InP平台的悬浮光子晶体波导传感器和悬浮脊形波导传感器。基于朗伯—比尔定律,通过Rsoft和COMSOL软件设计波导结构,优化了光子晶体波导的晶格常数、孔半径、中心孔半径和脊形波导的脊宽、条宽、脊高和条高。仿真结果表明,光子晶体波导和脊形波导的功率限制因子分别为250.69%和115.65%。对两种传感器进行计算和性能评估,得到两种传感器的传输损耗分别为27.5 dB/cm和3 dB/cm,最佳波导长度分别为72μm和162μm。设定探测器最小可检测信噪比为10,得到两种传感器的最小可检测气体浓度分别为9.13×10-6和8.51×10-6。讨论了波导传输损耗对传感器性能的影响,若能有效降低波导损耗,可进一步降低最小可检测气体浓度。对比两种传感器,光子晶体波导具有更大的功率限制因子,脊形波导具有低传输损耗和横磁模兼容性的优点。

摘要：本篇给出了一种脊形波导的设计,它的截止频率,阻抗和电场强度以公式和曲线形式结出,一些陶瓷样品在该腔中微波烧结,通过性能对比,可得出该腔可作为一种较理想的微波烧结腔.

摘要：采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导，在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能．设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交叉波导传输特性分析的结果．Ｘ型光分支器的实现为进一步研制Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验．

摘要：SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型22热光波导光开关, 在此基础上首次研制出44和88 SOI平面集成波导光开关矩阵.

摘要：采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000μm×500μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下载功能。其自由频谱宽度约为19.6 nm,最大消光比为19.76 d B。同时优化设计制备基于跑道型双微环可调谐光分插复用器。对这两种结构的光分插复用器的相邻信道间串扰进行测试,基于单微环滤波器和跑道型双微环滤波器的信道间最大串扰分别为-11.94 d B和-20.04 d B。所设计的基于双微环光分插复用器上下载通道与主信道间没有交叉波导结构,因此相邻通道串扰明显低于单环型的光分插复用器。同时设计并制备基于双微环PIN结型电光调制器。当偏置电压增加到1.6 V时,谐振峰发生0.78 nm的蓝移,并对测试结果进行分析。

摘要：采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.

摘要：文章着重讨论了矩—脊波导切比雪夫(Tchebycheff)阶梯过渡,列出了对脊波导截止波长与持性阻抗的通用计算机程序,大大简化了设计过程。