摘要：反铁磁凭借对外磁场不敏感、电场自旋调控以及自旋动力学响应速度快等优势成为当前自旋电子器件研究热点。首先将反铁磁自旋电子器件划分为存储器件、逻辑器件和类脑器件三类进行介绍,对各类器件发展历程进行分析和归纳,展示在结构设计、自旋调控、速度能耗等方面的特点,其中基于纯电场自旋轨道矩和交换偏置场调控的反铁磁器件极具发展前景。同时,介绍了近年反铁磁信号的探测和调控机制的研究旨在帮助器件设计研究,例如磁场和电流调控、电场调控等;最后从物理机制、器件设计和实际应用角度总结了反铁磁自旋电子器件领域存在的困难和挑战,展望了其发展方向和机遇。

摘要：研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动。磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素。基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性。电流驱动纳米带内磁斯格明子移动过程中存在横向移动,因此存在最大的注入电流J_(max)和最大移动速度V_(max)。在矩形纳米带内,J_(max)和V_(max)相对较小。通过裁剪矩形纳米带中央形成凹槽纳米带,J_(max)和V_(max)可显著提高,但反映驱动效率的速度V_(x)与注入电流J的比值(V_(x)/J)不大。提出利用裁剪纳米带边缘形成引导型纳米带来增大V_(x)/J。相对于矩形纳米带,电流驱动的引导纳米带中磁斯格明子移动时,V_(x)/J显著增大,且在一定程度上增大了J_(max)和V_(max)。电流驱动纳米带中磁斯格明子移动的最优方案是集合了引导和凹槽纳米带优势的组合纳米带,可获得更大的电流驱动效率、更大的移动速度。这些研究结果可为开发设计新一代自旋电子器件提供理论依据。

摘要：磁斯格明子是一种纳米级的拓扑自旋结构,由于其具有较好的稳定性、奇特的动力学特性以及较低的能耗,有望应用于未来超高密度存储和自旋电子器件而被磁学和自旋电子学领域高度关注.自2009年首次被观测到以来,人们对磁斯格明子的宿主材料体系、产生条件以及调控方式等方面进行了大量研究.过去对磁斯格明子的研究重点主要集中在基础科学上,然而近年来逐渐从基础科学向实际应用转变.重要的是,许多基于磁斯格明子的自旋电子器件已经被设计出来,并引起了人们的极大兴趣.主要介绍近几年来磁斯格明子器件的最新研究进展,其中包括赛道存储器件、逻辑运算器件、类晶体管器件、二极管器件、纳米振荡器以及类脑器件等.此外,根据磁斯格明子的特性,总结其在不同自旋电子器件中的应用,并预测未来磁斯格明子自旋电子器件的发展趋势.

摘要：本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。

摘要：介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。

摘要：在拓扑的材料调整乐队差距和乐队倒置的能力为新奇功能的设备的发展是高度合乎需要的。这里，我们建议拓扑的水晶的绝缘体( TCI )的自立的 nanomembranes 的电子性质 SnTe 和 Pb 1x Sn x (Se,Te)由设计有弹性的紧张和膜厚度是高度悦耳的，导致悦耳的乐队差距和巨大的 piezoconductivity 。膜厚度在相反的表面上管理拓扑的电子状态的杂交，当有弹性的紧张能进一步由控制表面状态的穿入长度调制杂交力量时。我们建议用力量集中的一个解决频率的红外线的光电探测器与空间地改变宽度在 TCI nanomembranes 导致了不同类的有弹性的紧张。由强壮的纺纱粗糙的电子状态伴随的预言的悦耳的乐队差距将为制作 piezoresistive 设备打开新大街，红外线的察觉者并且精力有效电子并且 spintronic 设备基于 TCI nanomembrane。

摘要：确定电子自旋稳定性的最重要的性质是自旋弛豫时间,文中介绍了DP、EY、BAP等三种重要的自旋弛豫机制以及它们的实验进展,为室温下可以使用的自旋电子器件设计提供了重要依据.

摘要：提出了一种ZnO基稀磁半导体ZnCoMnO紫外探测器的设计方案,应用MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式,分析了器件的性能,对于新型紫外探测器的研制提供一种可能的参考。

摘要：日本东北大学中山裕康等人的研究小组，开发出通过自旋流产生磁阻（MR）效应的新方法。MR效应即磁导体的电阻随外加磁场的变化而变化。MR效应用于磁头、非挥发性磁存储器等，为让器件具有该效应需要让电流在磁导体中流动。而新方法是即使电流不流经磁体，也能读取磁体中的磁信息。因此，磁体可以使用绝缘体，还可减少因发热等导致的磁性能下降。今后随着新功能自旋电子器件的开发，可进一步提高器件设计的自由度，并延长器件寿命。

摘要：日本东京大学物性研究所原田慈久副教授和大学院工学研究科田中雅明教授等人的研究小组，与日本原子能研究开发机构、高辉度光科学研究中心、广岛大学共同研究，发现了同时具有电性和磁性的稀磁半导体GaMnAs出现强磁性的机理。该类物质有望用于除电子电荷外还可利用电子自旋的自旋电子器件。本次研究成果对新型稀磁半导体材料的设计起到指导作用。