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一种自适应线性化偏置的单片集成功率放大器: 收藏
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引用; 《微电子学》2012年第2期42卷 141-145页; 作者：陈良月俞汉扬李昕杨涛武文娟高怀东南大学集成电路学院南京210096 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 苏州英诺迅科技有限公司&苏州市射频功率器件及电路工程技术研究中心苏州215123; 提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。...; 提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。采用微波电路仿真软件AWR进行仿真,验证了带宽范围内的相位偏离度在2°以内。基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了集成电路版图并成功流片。测试结果表明:在3.5V电压供电下,该放大器在1～2.5GHz频带范围内,输入反射系数均在-10dB以下,功率增益为23dB,输出功率大于30dBm,误差向量幅度在2.412GHz时为2.7%@24dBm,最大功率附加效率达40%。; 来源：详细信息评论

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