摘要：WAT(Wafer Acceptance Test,晶圆允收测试)是晶圆在完成制造后必须通过的一项电学测试.本文提出了一种基于随机森林的良率诊断方法,使用随机森林算法对来自可寻址WAT的测试数据建立分类模型,并从中提取关键规则.提取出的规则集合可以帮助分析人员快速、准确地对生产中导致低良率的根本原因进行定位、分析,对于良率提升有着重要意义.在真实可寻址WAT测试数据集上应用本文提出的方法,得到的规则集合在分类性能上较基于决策树的方法有着更好的表现.

摘要：为了扩大公司产品布局,尽快将RGBW产品推入市场,本文对该类产品关键的RGBW彩色滤光片(Color filter,CF)技术进行开发,并结合公司产线特点,对RGBW CF技术应用能力提升进行研究。首先通过产线测试,从高平坦保护膜(Over coating,OC)材料特性、OC厚度设计、OC工艺条件等角度出发,对该技术的关键特征参数RGB-W段差进行优化,建立像素尺寸、OC厚度与段差关系的数据模型,并进行产品验证。接着,建立段差与液晶盒厚、色温、透过率的关系,对OC Mura的影响因素进行分析及优化,降低新技术应用可能造成的产品品质风险。最后,针对产线特点造成的OC异物高发问题,通过异物检查机、SEM、显微镜等分析设备对异物发生率及发生原理进行分析,从材料、工艺参数、设备参数及设备状态等角度制定改善对策,提升产品良率。最终实现RGB-W段差0.6μm以下,CF良率99.5%以上。该技术满足产品品质及量产稳定性要求。

摘要：0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程。该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用。但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求。介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率。

摘要：文章对FPC多层板因为凹陷而导致线路制作过程中贴膜不实、曝光不良的缺陷，通过结构设计、线路布局设计等方面进行改善，避免了采用其他高成本方法，从产品的设计阶段着手解决问题，降低了产品的成本，提升了成品率和可靠性。

摘要：随着集成电路工业的快速成长,需在短时间内,引进愈小组件设计且导入量产的时间,愈来愈短.为了新产品能尽早导入量产,产品的缺陷的再检查(review)与分类是必要的,以期提供快速缺陷原因分析,改善良率与生产。在传统的做法中,建立新产品的二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)最佳化程序,需时至少1个月,以收集足够的二次电子影像数据库,但是,这已经无法符合集成电路工业产品快速转换的需求,提出一种省时间的(模块程序概念)。这概念使不同产品的相似组成?结构层(layer),不需要额外的二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)程序建立时间,利用此方法,台湾力晶半导体φ300mm晶圆厂利用0.15μm的缺陷数据库,成功地在2小时内建立新的0.13μm产品线上二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)程序,加速缺陷原因分析与良率提升.