摘要：实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器．铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备，SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌，表明薄膜容易开裂；能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着性差．通过溅射工艺参数及增加热处理等工艺初步解决了以上存在的薄膜制备工艺与IC工艺之间的兼容性问题．采用标准硅基IC工艺设计和制备了这种新型结构的薄膜变压器，对一组薄膜变压器样品的实验参数在20～210MHz的频率范围内作了测试．测试结果表明：对于设计的匝数比为1的薄膜变压器，在90～210MHz的频率范围内能获得最高为79％的变压比和良好的波形传输能力．

摘要：展示了一种新型的基于硅IC工艺的叠层型螺旋薄膜变压器,通过分析铁氧体的特性和磁谱,设计了薄膜变压器结构和制造工艺。采用光刻技术制备形状相同且完全叠合的初级与次级线圈,提高线圈耦合效率。空心变压器两层线圈之间采用SiO2作为绝缘层;磁芯变压器的两层线圈之间采用射频磁控溅射NiZn铁氧体薄膜作为绝缘层。在10MHz～20GHz的频率范围内分别对空心和磁芯叠层型螺旋薄膜变压器进行了测试,测试结果表明:磁芯薄膜变压器的带宽和传输效率都大于空心薄膜变压器;铁氧体薄膜能大幅度提高薄膜变压器的传输效率;匝数比为10∶10的磁芯薄膜变压器传输效率在频率9.85GHz时达到78.0%的最大传输效率。

摘要：根据理论模型,推导出高频膜状变压器的基本设计参数,制作并测试了不同磁芯膜厚的变压器样品,Q值曲线、电感曲线、阻抗曲线表明该薄膜变压器具有良好的高频性能。

摘要：薄膜变压器射频集成电路的一种关键器件。该文设计了一种层叠型螺旋薄膜变压器,并分别用MATLAB和Agilent ADS对薄膜变压器进行了S参数仿真。仿真结果表明,匝数N=15时,在160-240MHz频率范围之间,取得最高传输效率为98%。通过软件仿真研究了不同匝数比对薄膜变压器性能的影响,分析了产生这种影响的因素。

摘要：采用现代化印刷版技术,首先设计制作出一种基于柔性PCB板、线圈宽度为0.2mm、线间距为0.3mm、匝数比为6:18的空心变压器,然后采用直流磁控溅射在其上下表面镀上软磁薄膜,而最终制成了一种薄膜PCB平面变压器。研究了薄膜材料、膜厚等因素对该种变压器性能的影响。结果表明,制得的薄膜PCB平面变压器可以有效工作于4～14MHz的频率范围。采用上述方法制备变压器,可以把变压器从三维变成两维,从而为器件的表面贴装打下基础,并同时满足"更小,更轻,更薄"的要求。

摘要：为适应电子设备的小型化,电子变压器的一个主要发展方向,是从立体结构向平面结构、片式结构、薄膜结构发展,从而形成一代又一代的新型电子变压器:平面变压器、片式变压器、薄膜变压器。文章综述了R型变压器、印刷电路(PCB)型平面变压器、压电变压器、薄膜PCB平面变压器的原理、结构、性能和应用。