摘要：叙述了Seemann-Bohlin聚焦Guinier薄膜相机(S-B相机)的衍射几何及应用这种相机同时测定薄膜应力和点阵参数的基本原理。给出了制作S-B相机的设计图。以Nb_3Ge超导薄膜样品为例,具体说明了使用S-B相机同时测定薄膜应力和点阵参数的方法和步骤。

摘要：利用基片曲率法原理,设计改装了一套基片曲率显微观测装置用于测量稀土超磁致伸缩合金非晶RGMF薄膜试样的曲率半径并计算薄膜应力;分析探讨了使用该装置测量计算曲率半径的随机误差与系统误差,并在此基础上进一步分析了薄膜应力的相对误差。利用该装置测量了采用离子束溅射沉积法在青铜基片上沉积TbDy-Fe非晶薄膜的应力大小为150MPa,为压应力,测量总误差在8%以内。

摘要：介绍了一种通过分析二元光束阵列的反射光图像 ,利用 Stoney方程解算出薄膜应力的在线测量传感器 .传感器是以二维 Damm ann光栅和 Fresnel波带板所组成的集成二元光学分束器为核心设计的 .该传感器可进行各种单晶、多晶和非晶结构材料沉积过程的现场应力测量 ,灵敏度优于 2 .5× 10 6 Pa,精度优于 4 .2 7% .它具有结构简单、测量速度快、适应性强、设备集成度高而且易于安装调试等特点 .与计算机自动控制系统相结合 。

摘要：　为使半导体产品达到所要求的光学、电子和机械性能,必须实时地在沉积过程中直接测量薄膜应力。介绍了一种简便的薄膜应力测量装置方案,它可进行各种单晶、多晶和非晶结构材料沉积过程的现场应力测量,灵敏度优于2.5×106Pa,精度优于5%。该方案具有结构简单、测量速度快、适应性强等特点,可以应用于半导体集成电路生产线的薄膜生长过程控制检测。

摘要：研究了离子能量在薄膜制备过程中对TiO2和SiO2薄膜应力的影响。用电子束蒸发的方法制备TiO2和SiO2薄膜,使用实验室自行设计制作的基于哈特曼传感器的薄膜应力仪在线监测TiO2和SiO2薄膜应力随膜厚的变化。结果表明,离子辅助沉积的TiO2薄膜张应力值要比传统工艺低40 MPa,并且随着离子能量的增加,薄膜逐渐由张应力变为压应力,薄膜的最大折射率为2.56;而离子辅助的溅射效应在制备SiO2薄膜时比较明显,传统工艺制备的SiO2薄膜表现为压应力,而用离子辅助的方法制备的SiO2薄膜表现为张应力,并且随着离子能量的增加,薄膜变得疏松,折射率逐渐降低。

摘要：根据《设计规定》[1],对要求进行水压(或气压)试验的容器均应进行简体一次总体薄膜应力验算。下面按《设计规定》中“弹性失效准则”(即“受内压简体当其内壁的金属纤维超过该材料的实际屈服点即为失效”。),就什么情况下需要进行验算进行讨论(仅以水压试验为例)。

摘要：介绍ASME规范第Ⅷ卷第1册针对内压下压力容器壳体的开孔补强的设计提出的等面积法,以及附录1-10中补强设计两种计算方法。从理论及应用实践上对同时适用于壳体径向平齐接管开孔补强的上述两种方法进行对比和分析,结合实例,按照JB 4732-1995(2005年确认)《钢制压力容器-分析设计标准》对危险截面进行应力分析及评定。

摘要：大型水面舰船的防护舱壁需要设计成工作在薄膜应力状态下。本文利用能量法推导了在爆炸载荷作用下防护舱壁塑性薄膜大变形的计算公式,给出了一个工程简化计算方法。并对防护舱壁的设计要求进行了讨论,与国外发表的有关试验结果进行了计算比较,结果表明两种方法都具有一定的应用价值。

摘要：为抑制非相干光产生的干扰,提高紫外单色仪的分辨率,本文选择Al2O3、AlF3分别作为高、低折射率材料,在熔融石英基底上设计并制备了深紫外全介质高陡度滤光膜。通过优化沉积工艺及膜层应力分析方法,解决了薄膜应力过大所导致的膜裂问题;并对实验结果进行反演分析,通过优化监控方法提高了膜厚控制精度。制备的深紫外高陡度滤光膜在232~400 nm平均透过率为97.67%,在115~228 nm平均透过率为0.61%,过渡区陡度为3.6 nm,满足紫外单色仪的使用需求。

摘要：采用电子束蒸发方法制备Nd:YAG晶体板条功能薄膜,理论设计并镀制具有倏逝膜功能的宽带泵浦光减反膜(808 nm HT)和具有谐波功能的双色膜(808 nm HR,1 064 nm HT)。实验表明:大角度使用条件下的双色膜通带波纹加剧是导致其光谱性能下降的主要原因,同时比较了不同工艺下膜层应力对薄膜开裂的影响,使用应力缓冲层技术抑制了薄膜老化过程中裂纹的形成和扩展。激光损伤测试结果表明双色膜的单脉冲损伤阈值大于5.6 J/cm2(1 064 nm,5 ns,1-on-1),连续激光损伤阈值大于500 kW/cm2(1 064 nm),原子力显微镜分析证实初始损伤源主要来自膜层及其界面的点状吸收缺陷。