摘要：从电子纸市场观察入手,介绍了中大尺寸电子纸显示在电子阅读器和标牌等领域的应用现状,阐述了电子纸供应链主要情况,探讨了薄膜晶体管基板作为供应链关键上游材料的技术发展方向,分析了薄膜晶体管基板技术上的创新和实现构想,为新一代中大尺寸电子纸显示用薄膜晶体管基板的设计提供参考和指导建议。

摘要：为了快速检测强直性脊柱炎血清学分子标志物人体白细胞抗原(HLA-B27),开发了一种基于人体白细胞抗原B27(HLA-B27)功能化的氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管生物传感器。利用射频磁控溅射技术和微纳加工工艺制备了IGZO薄膜晶体管(IGZO TFT),采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)和抗体对IGZO TFT进行修饰,制备出针对HLA-B27检测的生物传感器。实验结果表明,功能化的IGZO TFT生物传感器具有稳定的电学特性和传感性能。传感器对HLA-B27的检测极限为1 pg/mL,在1 pg/mL至100 ng/mL的范围内均有良好的线性响应。这说明所设计的高性能生物传感器能够有效检测出强直性脊柱炎的标志物。此外,IGZO TFT可以扩展为传感器阵列平台,实现对某种疾病多种标志物的联合检测,在便携式床旁诊断设备的应用中具有巨大潜力。

摘要：文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。

摘要：介绍了用于薄膜晶体管液晶投影仪显示的偏振光分色系统，用多层光学薄膜实现了分色功能，并对薄膜的设计。

摘要：薄膜晶体管(TFT)是一种关键的电子器件,广泛应用于光电信息科学与工程领域,在高分辨率和高刷新率的显示器中,薄膜晶体管作为驱动电路的关键元件发挥着重要作用,当前薄膜晶体管技术的研究进展和未来发展的趋势进行了展望,包括新材料的开发和器件设计的创新。本文将探讨薄膜晶体管的关键技术和应用,介绍薄膜晶体管的基本结构和制备方法,包括常见的薄膜材料和沉积技术。讨论不同类型的薄膜晶体管的优缺点。

摘要：可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程,从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术–微流控法:将宽度及间隔均为80μm、沟槽深度为2μm左右的PDMS模板与衬底贴合构筑微流通道,毛细力作用下前驱液可在微流通道内流动,并在衬底表面形成图形化的液膜,最后经热处理完成图行化的薄膜沉积。此外,分析了硝酸镍/2-甲氧基乙醇前驱体的热分解过程和不同温度退火下前驱体粉末的相结构演化规律。最终利用微流控法图形化沉积技术制备了图形化的氧化镍沟道,并构筑了薄膜晶体管器件。优化后的薄膜晶体管表现出典型的p型特征,场效应迁移率可达0.8 cm^2?V^(–1)?s^(–1)。

摘要：为了能制备高均匀性、大尺寸高清RGB-OLED显示终端,发展了一种全新的、无掩膜低成本的彩色薄膜沉积技术——薄膜晶体管导向的薄膜沉积技术,并研究了薄膜晶体管的宽长比及栅压对电聚合发光薄膜性能的影响,寻找最佳的制备条件。实验中采用像素尺寸大小为200μm×200μm的AMOLED基板,通过TFT来控制发光薄膜在ITO像素上的电化学聚合过程。首先对不同宽长比的TFT性能进行表征,再对不同宽长比的TFT在不同栅压条件下制备的电化学聚合薄膜进行表征和分析。实验结果表明,在同一宽长比的TFT控制下,施加栅压越大,制备的薄膜越厚,发光效果越好;在不同宽长比的TFT控制下,宽长比越大,聚合薄膜越厚,发光效果越好。在较大栅压下,选择宽长比为50μm/10μm的TFT最为适宜。研究结果为电化学聚合技术在AMOLED显示中的应用奠定了良好基础。

摘要：针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZOTFT)的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补,我们设计了双层Mo(20nm)/Cu(80nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZOTFT。器件具有良好的电学特性,场效应迁移率为8.33cm^2·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为6.0V,亚阈值摆幅为2.0V/dec,开关比为1.3×10~7,证明了双层Mo/Cu源漏电极的可行性和实用性。

摘要：通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。

摘要：建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×10^(19)cm^(-3)·eV^(-1)及以上时,器件电学特性受深陷阱态影响劣化,亚阈值摆幅增加;沟道层薄膜厚度较小(<40 nm)时,器件的转移特性良好,当沟道层薄膜厚度超过40 nm时,器件的电学特性劣化,关态电流增加,开关比降低,亚阈值摆幅增加.本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导.