摘要：为解决35 kV开关柜触头盒存在局部电场过高、电场分布不均匀的问题,利用Ansoft软件包建立有限元模型,对触头盒的电场分布进行仿真计算,得到了电场分布图、场中的电场强度的最大值、典型位置的电场分布曲线;讨论了电场分布的一些特征,为触头盒结构优化设计的改进提供参考;通过比较其最大场强值,优化出最佳方案。根据仿真结果,采用在触头与内腔连接处涂刷半导体漆改进触头盒结构,从而使电场局部集中问题得到改善,使电场分布更加均匀。

摘要：基于有限元分析软件Ansys对电场进行仿真分析,对40.5 kV开关设备内重要的绝缘件—触头盒进行双屏蔽设计改进,优化了高、低压双屏蔽层的布置方式和伞裙分布,实现了触头盒的整体绝缘性能的提升。

摘要：为提升40.5 kV空气绝缘开关柜触头盒的绝缘水平,采用对触头盒实际发生的绝缘问题进行分析和三相整体电场仿真相结合的方法,明确了触头盒相间搭接处、固定安装处等复合绝缘小气隙的部位为绝缘薄弱点,针对薄弱点进行了相应的结构改进。电场仿真结果表明,在其他结构相同的前提下,对相间小气隙采用新设计的上下面搭接的结构,相比常见的台阶搭接结构,气隙处的最大场强可以降低37.6%;对固定安装处的小气隙,采用人为增大气隙或增加接地屏蔽均能够使电场降低至许可值。制造出了优化后的触头盒并进行了试验验证,验证了改进的有效性,提高了触头盒的绝缘性能。

摘要：针对40.5 kV触头盒绝缘问题较为突出的问题,文中以封堵式触头盒为研究对象。建立了40.5 kV空气绝缘开关柜的整体模型,充分考虑了开关柜内母排、穿柜套管、断路器等部件对触头盒电场分布的影响。计算了封堵式触头盒在工作位工况和试验位工况下的电位、电场分布,分析了双屏蔽结构对触头盒内部电场分布的影响规律,优化了触头盒内部屏蔽极板,有效改善了封堵式触头盒内部的电场分布。文中研究成果可为40.5 kV封堵型触头盒的设计、制造提供计算分析依据,提高40.5 kV开关柜运行的安全可靠性。

摘要：开关柜在长期运行过程中可能会因触头盒电场集中导致放电甚至击穿事故,采用双屏蔽结构是改善开关柜触头盒内电场分布的有效方法。为此,以KYN28A-12开关柜为研究对象,提出了一种基于SVM-PSO混合算法的开关柜触头盒双屏蔽结构三维电场优化方法。首先,在Comsol Multiphysics中建立了开关柜的三维仿真模型,分析了接地屏蔽长度、高压屏蔽半径和长度对触头盒、接地屏蔽和高压屏蔽表面场强的影响规律;然后,构建了含触头盒、接地屏蔽和高压屏蔽表面场强3个优化目标的评价函数,采用SVM算法建立了不同接地屏蔽长度、高压屏蔽半径和高压屏蔽长度下评价函数的预测模型;最后,利用PSO算法进行评价函数的寻优,获得了触头盒双屏蔽结构参数的优化结果,并开展了三维电场仿真计算,相对误差为4.8%,验证了优化结果的正确性;优化后的触头盒在1.2Ur下的局放量为1.38 pC,验证了优化结果的有效性。研究结果为开关柜触头盒双屏蔽结构的设计和优化提供了理论依据。

摘要：介绍环氧树脂自动压力凝胶(APG)成型工艺的原理,设计了带内外裙触头盒环氧树脂注射模,提出了分型面、浇注系统、排气、嵌件安放、内裙型芯等的设计要点,重点分析了内裙型芯的分块方法及抽芯顺序,并展望了环氧树脂APG工艺的发展前景。

摘要：针对35kV触头盒存在局部电场过高、电场分布不均匀的问题,利用Ansoft软件包建立有限元模型,对触头盒的电场分布进行了仿真计算。根据仿真结果,采用在触头与内腔连接处涂刷半导体漆的方法对触头盒结构进行了改进,从而使电场局部集中问题得到改善,使电场分布更加均匀。

摘要：本文分析3D打印技术用于高压柜触头盒创新设计的必要性,叙述基于熔融沉积3D打印技术的高压柜触头盒外壳快速制造过程。3D打印技术应用于高压柜触头盒创新设计中,有效提高工作效率,降低开发成本,为同类产品创新设计提供了思路。

摘要：主要针对电场分布及80kA下高开断短路电流产生的电动力对触头盒的影响破坏问题,本文中设计了一种新型绝缘触头盒结构,并对其处于80kA高开断移开式大电流开关柜工作环境下的结构安全进行了分析研究。

摘要：针对金属封闭开关设备的技术现状和发展要求,研究40.5 kV产品内置电流互感器触头盒绝缘结构,并提出优化方案。通过工频耐受电压试验发现,产品设计中存在的绝缘薄弱环节,利用Ansoft Maxwell 12.1有限元分析软件对触头盒部位的电场分布进行仿真,并分析其影响因素。在此基础上,对触头盒绝缘结构进行了改进。试验结果表明,优化设计满足了绝缘性能的要求。