摘要：针对ITO(氧化铟锡)薄膜所制作的触控模组存在明显蚀刻痕迹而严重限制其下游广泛应用的问题,首先根据薄膜光学理论计算得到带消影层ITO薄膜(Nb2O5/SiO2/ITO)在5个特征波长处达到最佳消影效果的膜层厚度,再用TFCLAC光学软件验证该带消影层ITO薄膜在500~780 nm可见波段的光学消影效果,最后通过卷对卷磁控溅射法制造该带消影层的ITO薄膜,继而制成触控模组,以验证其蚀刻痕迹的改善效果。结果表明:最佳带消影层ITO薄膜中Nb2O5、SiO2和ITO层的厚度分别为10、48和42 nm。该带消影层ITO薄膜在蚀刻前后的反射率差在1%~2%之间,色差较小,平均透过率达到85.64%,方阻为84.70Ω。该带消影层薄膜制作的触控模组上几乎看不见蚀刻痕迹,可满足严苛的视觉要求。