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基于Cadence平台深亚微米CMOS工艺设计套件开发
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《电气电子教学学报》2001年 第4期23卷 39-42页
作者:谢婷婷 王志功东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 
结合集成电路后端设计流程 ,以美国 MOSIS多项目晶圆 ( MPW)计划提供的台湾半导体制造公司 ( TSMC)的 0 .35微米 CMOS工艺为例 ,对基于 Cadence平台 ,开发用于高频、高速模拟和模数混合集成电路设计设计套件 ( Design Kit)进行了讨论。
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