摘要：在p型(100)单晶Si基衬底上,利用磁控溅射设备完成直流溅射Mo/Ti布拉格反射层和射频反应溅射AlN压电层,用光刻微加工工艺设计了不同谐振面积与电极图案的Ti/Au上电极,在优化工艺条件下制备了氮化铝基体声波质量传感器,比较分析了不同电极图案和谐振面积对传感器性能的影响。研究表明,电极图案相同时,谐振面积为10 000(100×100)μm2的器件电学性能最好,谐振面积相同时,电极图案为圆形的损耗最小;内角为直角的正方形损耗最大,内角为钝角的五边形损耗居中。

摘要：利用有限元仿真软件建立了薄膜体声波谐振器模型,研究了不同谐振面积(3600~10000μm^(2))条件下,电极形状(矩形、梯形、圆形和正五边形)及变迹角(30°、36°、40°和45°)对寄生谐振的影响,得到史密斯阻抗曲线和不圆度值,讨论了阶梯负载结构对横向声波泄露的抑制作用。仿真结果表明,电极形状为非正五边形,变迹角为40°时,对寄生谐振的抑制效果最好;在谐振面积为3600μm^(2)时,其不圆度为6.45%,与谐振面积为10000μm^(2)时矩形电极相当。设计的电极阶梯负载结构提升了并联谐振点处的品质因数,当电极横向尺寸为60μm时,二阶电极负载结构的品质因数为1378,比无电极负载结构的品质因数高10.07%。