摘要：针对宽带放大器平坦度低、宽带匹配性差等问题,从负反馈电路理论、超宽带匹配技术以及宽带电路和高频电路设计的器件选取等方面讨论了宽带低噪声放大器的设计。在ADS辅助下,设计了工作频段在0.2～3GHz超宽带低噪声放大器。通过优化电路元件各项参数,实现了30dB的高增益、±1.5dB平坦度、低于1.5dB的噪声系数、优于-10dB的输入输出回波损耗的目标。

摘要：基于南京电子器件研究所0.25μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超宽带功率放大器。GaN HEMT器件的射频参数由负载牵引系统测定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同轴巴伦结构实现超宽带匹配,用高介电常数介质板材制作匹配电路,实现放大器的小型化。放大器偏置电压28V,偏置电流0.5A。测试结果显示,在0.3~2GHz带宽内,放大器小信号增益平坦度小于±1.3dB。典型输出功率大于100 W,最小输出功率90 W,饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏极效率大于50%。