摘要：基于超导探测器具有量子响应的实验论据，用量子理论导出高温超导薄膜探测器的，表明超导探测器的正比于超导薄膜长厚比的平方根，而与宽度无关。因此，采用超导薄膜（减小厚度），同时将薄膜光刻成弯曲线条或蛇形，增加其长度，将获得高Ｄ＊值的超导探测器。这是具有量子响应的超导探测器的重要结论。它为超导红外探测器的研制、设计提供了重要的理论依据。

摘要：设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN_(x)体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真,确定了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势,最后制备了不同厚度SiO_(2)-SiN_(x)光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试,验证了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。

摘要：在对Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ器件进行理论分析的基础上，设计并研制了超导薄膜红外探测器。经后抛光将芯片的衬底减薄，在液氮温度下，系统观测了器件的红外特性，最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）＝３８×１０（－１２）ＨＺ（１／２）归一化探测率Ｄ＝１７×１０（１０）ｃｍＨｚ（１／２）Ｗ（－１），响应度Ｒｖ＝３３１２ＶＷ（－１）。器件经过十多次的冷热循环，并在室温下保存一年以上，所得测量结果基本不变．

摘要：进行了ＧａＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ２×２阵列式红外探测器的实验研究，设计研制了两种形状的２×２阵列芯片，并对芯片单元器件的基本性能进行了观测，经过筛选，同一芯片上四个单元器件的Ｔｃ值和起始转变点到零电阻的电阻落差值的差异５％。在总偏置电流为１ｍＡ时，程序控制扫描测试器件的噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）９×１０－１２ＷＨｚ，探测率Ｄ６．４×１０９ｃｍＨｚｗ，响应率Ｒｖ＞２５８０Ｖ／Ｗ。

摘要：通过分析现有的基于在高温超导体超导转变温区的热效应及光子效应的薄膜型器件的结构特点和光电特性，讨论了利用单片折射型微透镜进行高温超导薄膜红外探测器光电响应性能改善的可行性，给出了几种典型的可与高温超导薄膜红外探测器耦合的单片面阵硅折射型微透镜阵列的ＳＥＭ 测试结果及主要的几项参数指标。

摘要：为了提高超导薄膜红外探测器的工作带宽、响应速度和灵敏度，并便于进行集成平面工艺，我们设计了微桥型红外敏感元及与其耦合的领结型平面天线（ｂｏｗ－ｔｉｅ ａｎｔｅｎｎａ），其检测波长范围可从中红外到毫米波段，理论估算其ＮＥＰ（噪音等效功率）值可达１．２×１０￣（－１２）ＷＨ_ｚ￣(１／２)，响应时间τ＜１０￣(－６)ｓ。

摘要：本文介绍了一种可在真空或氧气中、温度为８００℃以上工作的简单基片加热器，文中对这种加热器的设计、结构和性能均作了阐述。加热器采用卤素聚光灯，已经应用于用溅射法和脉冲激光沉积法来沉积ＹＢＣＯ超导薄膜之中。并给出了有关加热时间和灯泡寿命的性能数据。

摘要：日本工业技术院电子技术综合研究所的研究小组,成功准确地得到了在设计涂有高温超导薄膜的电子元件时所不可少的薄膜表面最外层的结构。用超导薄膜夹住绝缘膜的夹层状积层元件,将来可望用作省能超高速元件。但由于界面的最外层结构难以弄清,因此成了元件开发的难点。

摘要：用高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜设计并研制了单元及２×２阵列型红外探测器。其中２×２阵列型器件的四个单元探测器的Ｔｃ值及Ｒ－Ｔ特性相差≤３％。使用５００Ｋ黑体及Ｈｅ－Ｎｅ激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）分别为３．６×１０－１２和４．１×１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，归一化探测率分别为１．６×１０１０和１．２×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ；响应率分别为８．２×１０４和７．２×１０４Ｖ／Ｗ。

摘要：本文在对红外探测器进行理论分析的基础上，设计并研制了液氮温度下的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜红外探测器，系统地测试了器件的特征参数。最好的结果为：对于波长为１０μｍ，调制频率为ｆ＝５００Ｈｚ，宽度为Δｆ＝１Ｈｚ的红外输入辐射，Ｒｖ（５００，１０，１）＝２４７９Ｖ／Ｗ，ＮＥＰ（５００，１０，１）＝１．３×１０－１１Ｗ／Ｈｚ１／２，Ｄ＊（５００，１０，１）＝３．３×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ，τ（５００，１０，１）＝２．８ｍｓ。