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超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善: 收藏
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引用; 《物理学报》2010年第3期59卷 1970-1976页; 作者：王思浩鲁庆王文华安霞黄如北京大学微电子学深圳研究院集成微系统重点实验室北京100871 长春理工大学微电子系长春130022; 分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂...; 分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.; 来源：详细信息评论

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